自组织生长均匀有序半导体量子点阵列的方法

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	自组织生长均匀有序半导体量子点阵列的方法
其他题名	自组织生长均匀有序半导体量子点阵列的方法
	娄朝刚; 李献杰; 张晓兵; 雷威
	2007-02-28
专利权人	东南大学
公开日期	2007-02-28
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	自组织生长均匀有序半导体量子点阵列的控制方法涉及自组织生长半导体量子点，特别是通过在半导体衬底表面制作隔离单元来控制自组织生长半导体量子点位置和大小的方法。其方法为a.在半导体衬底表面沉积一层厚度在50nm以下的介质薄膜；b.利用光刻与腐蚀的方法将介质薄膜制作成隔离单元阵列，其中每个单元为圆形或正方形，其周长小于360nm，腐蚀过程中留下的相邻单元之间的介质薄膜作隔离墙，隔离墙的最小厚度应在80nm以下；c.利用半导体外延工艺在每个隔离单元内生长量子点；d.去除量子点之间的隔离墙。应用这种技术可以控制自组织生长过程中量子点的位置和大小，避免量子点成核的随机性以及熟化生长过程带来的量子点大小的不一致性。
其他摘要	自组织生长均匀有序半导体量子点阵列的控制方法涉及自组织生长半导体量子点，特别是通过在半导体衬底表面制作隔离单元来控制自组织生长半导体量子点位置和大小的方法。其方法为a.在半导体衬底表面沉积一层厚度在50nm以下的介质薄膜；b.利用光刻与腐蚀的方法将介质薄膜制作成隔离单元阵列，其中每个单元为圆形或正方形，其周长小于360nm，腐蚀过程中留下的相邻单元之间的介质薄膜作隔离墙，隔离墙的最小厚度应在80nm以下；c.利用半导体外延工艺在每个隔离单元内生长量子点；d.去除量子点之间的隔离墙。应用这种技术可以控制自组织生长过程中量子点的位置和大小，避免量子点成核的随机性以及熟化生长过程带来的量子点大小的不一致性。
申请日期	2004-03-26
专利号	CN1302517C
专利状态	失效
申请号	CN200410014450.2
公开（公告）号	CN1302517C
IPC 分类号	H01L21/00 \| H01L33/00 \| H01S5/00
专利代理人	沈廉
代理机构	南京经纬专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48115
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	东南大学
推荐引用方式 GB/T 7714	娄朝刚,李献杰,张晓兵,等. 自组织生长均匀有序半导体量子点阵列的方法. CN1302517C[P]. 2007-02-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1302517C.PDF（202KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文