Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半導體雷射裝置及其製法 | |
其他题名 | 半導體雷射裝置及其製法 |
田中明; 伊藤義行; 堀內理; 幕田章雄; 玄永康一; 鹽澤秀夫 | |
2005-07-21 | |
专利权人 | 東芝股份有限公司 |
公开日期 | 2005-07-21 |
授权国家 | 中国台湾 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 一種半導體雷射裝置包含:一第一導電率型之包覆層;一設在包覆層上之主動層;及一設在主動層上一第二導電率層之包覆層。第二導電率型之包覆層之至少一部分具一脊狀條。脊狀條包含:一側壁實質上為垂直之上部分;且一下部位之側壁為傾斜,故條片朝主動層變寬。 |
其他摘要 | 一種半導體雷射裝置包含:一第一導電率型之包覆層;一設在包覆層上之主動層;及一設在主動層上一第二導電率層之包覆層。第二導電率型之包覆層之至少一部分具一脊狀條。脊狀條包含:一側壁實質上為垂直之上部分;且一下部位之側壁為傾斜,故條片朝主動層變寬。 |
申请日期 | 2004-05-14 |
专利号 | TWI236790B |
专利状态 | 失效 |
申请号 | TW093113784 |
公开(公告)号 | TWI236790B |
IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/343 | G11B7/125 | H01S5/00 | H01S5/02 | H01S5/042 | H01S5/06 | H01S5/065 | H01S5/20 | H01S5/223 | H01S5/227 | H01S5/40 | H01S3/18 |
专利代理人 | 林志剛 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48110 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 東芝股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中明,伊藤義行,堀內理,等. 半導體雷射裝置及其製法. TWI236790B[P]. 2005-07-21. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
TWI236790B.PDF(3216KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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