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半導體雷射裝置及其製法
其他题名半導體雷射裝置及其製法
田中明; 伊藤義行; 堀內理; 幕田章雄; 玄永康一; 鹽澤秀夫
2005-07-21
专利权人東芝股份有限公司
公开日期2005-07-21
授权国家中国台湾
专利类型授权发明
摘要一種半導體雷射裝置包含:一第一導電率型之包覆層;一設在包覆層上之主動層;及一設在主動層上一第二導電率層之包覆層。第二導電率型之包覆層之至少一部分具一脊狀條。脊狀條包含:一側壁實質上為垂直之上部分;且一下部位之側壁為傾斜,故條片朝主動層變寬。
其他摘要一種半導體雷射裝置包含:一第一導電率型之包覆層;一設在包覆層上之主動層;及一設在主動層上一第二導電率層之包覆層。第二導電率型之包覆層之至少一部分具一脊狀條。脊狀條包含:一側壁實質上為垂直之上部分;且一下部位之側壁為傾斜,故條片朝主動層變寬。
申请日期2004-05-14
专利号TWI236790B
专利状态失效
申请号TW093113784
公开(公告)号TWI236790B
IPC 分类号H01S5/22 | H01S5/343 | G11B7/125 | H01S5/00 | H01S5/02 | H01S5/042 | H01S5/06 | H01S5/065 | H01S5/20 | H01S5/223 | H01S5/227 | H01S5/40 | H01S3/18
专利代理人林志剛
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48110
专题半导体激光器专利数据库
作者单位東芝股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
田中明,伊藤義行,堀內理,等. 半導體雷射裝置及其製法. TWI236790B[P]. 2005-07-21.
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TWI236790B.PDF(3216KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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