超低发散角倾斜光束的单纵模人工微结构激光器

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	超低发散角倾斜光束的单纵模人工微结构激光器
其他题名	超低发散角倾斜光束的单纵模人工微结构激光器
	渠红伟; 张冶金; 张建心; 刘磊; 齐爱谊; 王海玲; 马绍栋; 石岩; 郑婉华
	2015-06-10
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2015-06-10
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种超低发散角倾斜光束的单纵模人工微结构激光器，包括：一衬底和在衬底上制作的N型下限制层、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层、P型欧姆接触层、绝缘层，一P型电极制作在绝缘层上；一N型电极，制作在衬底的背面；该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的一侧为整体结构，另一侧为人工微结构，该人工微结构中包括多个狭槽，用于形成电流注入通道和纵向侧向光场限制；其中该脊型结构的整体结构部分为脊型波导增益区，另一侧的人工微结构部分为人工微结构选模区。本发明可增大模场面积，实现超低垂直发散角，改善单模激光器光束质量，提高与光纤或光栅的耦合效率。该激光器只需一次外延和普通光刻技术即可实现单模工作，低制作成本。
其他摘要	一种超低发散角倾斜光束的单纵模人工微结构激光器，包括：一衬底和在衬底上制作的N型下限制层、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层、P型欧姆接触层、绝缘层，一P型电极制作在绝缘层上；一N型电极，制作在衬底的背面；该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的一侧为整体结构，另一侧为人工微结构，该人工微结构中包括多个狭槽，用于形成电流注入通道和纵向侧向光场限制；其中该脊型结构的整体结构部分为脊型波导增益区，另一侧的人工微结构部分为人工微结构选模区。本发明可增大模场面积，实现超低垂直发散角，改善单模激光器光束质量，提高与光纤或光栅的耦合效率。该激光器只需一次外延和普通光刻技术即可实现单模工作，低制作成本。
申请日期	2013-03-25
专利号	CN103199435B
专利状态	授权
申请号	CN201310096102.3
公开（公告）号	CN103199435B
IPC 分类号	H01S5/065 \| H01S5/24
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48075
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	渠红伟,张冶金,张建心,等. 超低发散角倾斜光束的单纵模人工微结构激光器. CN103199435B[P]. 2015-06-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103199435B.PDF（961KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文