Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 发光器件、用于制造发光器件的衬底、以及它们的制造方法 | |
| 其他题名 | 发光器件、用于制造发光器件的衬底、以及它们的制造方法 |
| 柴田智彦; 浅井圭一郎; 长井晃余; 田中光浩 | |
| 2005-03-16 | |
| 专利权人 | 日本碍子株式会社 |
| 公开日期 | 2005-03-16 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 在衬底上依次形成组成为AlaGabIncN(a+b+c＝1，a、b、c≥0)的缓冲层和组成为AlxGayInzN(x+y+z＝1，x、y、z≥0)的多层薄膜。缓冲层中铝含量最少部分的铝含量设定为至少大于多层薄膜最厚层处的铝含量。缓冲层的铝含量从衬底的一侧到多层薄膜的另一侧是连续地或逐步地降低的。 |
| 其他摘要 | 在衬底上依次形成组成为AlaGabIncN(a+b+c＝1，a、b、c≥0)的缓冲层和组成为AlxGayInzN(x+y+z＝1，x、y、z≥0)的多层薄膜。缓冲层中铝含量最少部分的铝含量设定为至少大于多层薄膜最厚层处的铝含量。缓冲层的铝含量从衬底的一侧到多层薄膜的另一侧是连续地或逐步地降低的。 |
| 申请日期 | 2001-05-22 |
| 专利号 | CN1193439C |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN01137289.3 |
| 公开（公告）号 | CN1193439C |
| IPC 分类号 | H01L21/20 | H01L21/205 | H01L31/105 | H01L33/00 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 魏金玺 | 罗才希 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48035 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本碍子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴田智彦,浅井圭一郎,长井晃余,等. 发光器件、用于制造发光器件的衬底、以及它们的制造方法. CN1193439C[P]. 2005-03-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1193439C.PDF（889KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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