一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构

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	一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构
其他题名	一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构
	刘刚明; 张靖; 邓光华; 段利华; 周勇
	2017-03-22
专利权人	中国电子科技集团公司第四十四研究所
公开日期	2017-03-22
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提供一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构，包括振荡部分、过渡部分、放大部分和底面沟槽，所述过渡部分将所述振荡部分和放大部分连接并融合在一起，所述底面沟槽分别位于所述振荡部分、过渡部分和放大部分的两侧，且所述振荡部分、过渡部分和放大部分两侧的底面沟槽深度不同。本发明巧妙地通过过渡部分将所述振荡部分和放大部分连接并融合在一起，依靠所述振荡部分、过渡部分和放大部分两侧深度不同的底面沟槽防止形成非预期的反射破坏基横模输出，为一种基于常规脊波导的芯片结构，因而只需采用普通的脊波导工艺就能实现大功率半导体基横模激光输出芯片的制作，产品制作工艺简单成熟，成品率高，成本低，适用于批量生产制作。
其他摘要	本发明提供一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构，包括振荡部分、过渡部分、放大部分和底面沟槽，所述过渡部分将所述振荡部分和放大部分连接并融合在一起，所述底面沟槽分别位于所述振荡部分、过渡部分和放大部分的两侧，且所述振荡部分、过渡部分和放大部分两侧的底面沟槽深度不同。本发明巧妙地通过过渡部分将所述振荡部分和放大部分连接并融合在一起，依靠所述振荡部分、过渡部分和放大部分两侧深度不同的底面沟槽防止形成非预期的反射破坏基横模输出，为一种基于常规脊波导的芯片结构，因而只需采用普通的脊波导工艺就能实现大功率半导体基横模激光输出芯片的制作，产品制作工艺简单成熟，成品率高，成本低，适用于批量生产制作。
申请日期	2014-10-20
专利号	CN104269739B
专利状态	授权
申请号	CN201410555782.5
公开（公告）号	CN104269739B
IPC 分类号	H01S5/24
专利代理人	刘佳
代理机构	北京一格知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48029
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国电子科技集团公司第四十四研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘刚明,张靖,邓光华,等. 一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构. CN104269739B[P]. 2017-03-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104269739B.PDF（175KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文