高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器

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	高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器
其他题名	高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器
	王涛; 刘俊岐; 刘峰奇; 张锦川; 王利军; 王占国
	2016-06-01
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2016-06-01
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器，包括：一高掺杂的接收衬底；一下金属波导光限制层，该下金属波导光限制层是由金属热键合形成，并位于接收衬底上；一下接触层，位于下金属波导光限制层上；一有源层，该有源层生长在下接触层上；一上接触层，该上接触层生长在该有源层上，并被制作成准周期等比数列同心圆光栅结构；一上金属层，该上金属层由电子束蒸发于上接触层上，并被制作成准周期等比数列同心圆光栅结构；其中，下金属层和下接触层构成下等离子体波导，上金属层和上接触层构成上等离子体波导，上下等离子体波导构成双面金属波导结构；所述下接触层、有源层、上接触层和上金属层被制作成环形结构，环形的有源层形成了环形谐振腔。
其他摘要	一种高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器，包括：一高掺杂的接收衬底；一下金属波导光限制层，该下金属波导光限制层是由金属热键合形成，并位于接收衬底上；一下接触层，位于下金属波导光限制层上；一有源层，该有源层生长在下接触层上；一上接触层，该上接触层生长在该有源层上，并被制作成准周期等比数列同心圆光栅结构；一上金属层，该上金属层由电子束蒸发于上接触层上，并被制作成准周期等比数列同心圆光栅结构；其中，下金属层和下接触层构成下等离子体波导，上金属层和上接触层构成上等离子体波导，上下等离子体波导构成双面金属波导结构；所述下接触层、有源层、上接触层和上金属层被制作成环形结构，环形的有源层形成了环形谐振腔。
申请日期	2013-12-05
专利号	CN103633559B
专利状态	授权
申请号	CN201310652143.6
公开（公告）号	CN103633559B
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/06
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48020
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王涛,刘俊岐,刘峰奇,等. 高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器. CN103633559B[P]. 2016-06-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103633559B.PDF（274KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文