Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
激光器阵列相干器及其制备方法 | |
其他题名 | 激光器阵列相干器及其制备方法 |
陈泳屹; 秦莉; 王立军; 宁永强; 刘云; 佟存柱 | |
2017-10-27 | |
专利权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
公开日期 | 2017-10-27 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 激光器阵列相干器及其制备方法属于激光相干耦合技术领域,目的在于解决现有技术存在的激光器阵列相干性差、稳定性差、功率低和成本高的问题。本发明由光子桥连接的二维衍射光子晶体组成的阵列,以及在最外围制备的光子反射器。激光器阵列相干器的制备方法,首先给出部件具体位置;其次,用光刻以及刻蚀方法制备光子桥和出光面;再次,通过刻蚀或生长技术制备二维衍射光子晶体,通过刻蚀方法制作光子反射器;最后,进行化学处理、或者制作保护层、或者制备电极、或者进行二次外延继续制备激光阵列芯片。本发明可以实现激光器阵列的发光单元之间的光子相互注入,从而实现光学相干。 |
其他摘要 | 激光器阵列相干器及其制备方法属于激光相干耦合技术领域,目的在于解决现有技术存在的激光器阵列相干性差、稳定性差、功率低和成本高的问题。本发明由光子桥连接的二维衍射光子晶体组成的阵列,以及在最外围制备的光子反射器。激光器阵列相干器的制备方法,首先给出部件具体位置;其次,用光刻以及刻蚀方法制备光子桥和出光面;再次,通过刻蚀或生长技术制备二维衍射光子晶体,通过刻蚀方法制作光子反射器;最后,进行化学处理、或者制作保护层、或者制备电极、或者进行二次外延继续制备激光阵列芯片。本发明可以实现激光器阵列的发光单元之间的光子相互注入,从而实现光学相干。 |
申请日期 | 2014-09-26 |
专利号 | CN104393485B |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201410508727.0 |
公开(公告)号 | CN104393485B |
IPC 分类号 | H01S5/14 | H01S5/40 |
专利代理人 | 南小平 |
代理机构 | 长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙) |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48013 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈泳屹,秦莉,王立军,等. 激光器阵列相干器及其制备方法. CN104393485B[P]. 2017-10-27. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN104393485B.PDF(293KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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