OPT OpenIR  > 半导体激光器专利数据库
激光器阵列相干器及其制备方法
其他题名激光器阵列相干器及其制备方法
陈泳屹; 秦莉; 王立军; 宁永强; 刘云; 佟存柱
2017-10-27
专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期2017-10-27
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要激光器阵列相干器及其制备方法属于激光相干耦合技术领域,目的在于解决现有技术存在的激光器阵列相干性差、稳定性差、功率低和成本高的问题。本发明由光子桥连接的二维衍射光子晶体组成的阵列,以及在最外围制备的光子反射器。激光器阵列相干器的制备方法,首先给出部件具体位置;其次,用光刻以及刻蚀方法制备光子桥和出光面;再次,通过刻蚀或生长技术制备二维衍射光子晶体,通过刻蚀方法制作光子反射器;最后,进行化学处理、或者制作保护层、或者制备电极、或者进行二次外延继续制备激光阵列芯片。本发明可以实现激光器阵列的发光单元之间的光子相互注入,从而实现光学相干。
其他摘要激光器阵列相干器及其制备方法属于激光相干耦合技术领域,目的在于解决现有技术存在的激光器阵列相干性差、稳定性差、功率低和成本高的问题。本发明由光子桥连接的二维衍射光子晶体组成的阵列,以及在最外围制备的光子反射器。激光器阵列相干器的制备方法,首先给出部件具体位置;其次,用光刻以及刻蚀方法制备光子桥和出光面;再次,通过刻蚀或生长技术制备二维衍射光子晶体,通过刻蚀方法制作光子反射器;最后,进行化学处理、或者制作保护层、或者制备电极、或者进行二次外延继续制备激光阵列芯片。本发明可以实现激光器阵列的发光单元之间的光子相互注入,从而实现光学相干。
申请日期2014-09-26
专利号CN104393485B
专利状态授权
申请号CN201410508727.0
公开(公告)号CN104393485B
IPC 分类号H01S5/14 | H01S5/40
专利代理人南小平
代理机构长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙)
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48013
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
陈泳屹,秦莉,王立军,等. 激光器阵列相干器及其制备方法. CN104393485B[P]. 2017-10-27.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN104393485B.PDF(293KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[陈泳屹]的文章
[秦莉]的文章
[王立军]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[陈泳屹]的文章
[秦莉]的文章
[王立军]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[陈泳屹]的文章
[秦莉]的文章
[王立军]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。