在半导体衬底上制备量子环结构的方法

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	在半导体衬底上制备量子环结构的方法
其他题名	在半导体衬底上制备量子环结构的方法
	周慧英; 曲胜春; 金鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王占国
	2011-10-05
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2011-10-05
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种在半导体衬底上制备量子环结构的方法，包含：步骤1：取一半导体衬底和制备好的阳极氧化铝通孔模板；步骤2：把制备好的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上，形成带有掩模板的半导体GaAs衬底；步骤3：将足够厚的阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入，形成具有周期性离子注入的带有阳极氧化铝模板的半导体衬底，目的是让金属离子通过阳极氧化铝通孔注入半导体衬底，在没有孔的区域，注入离子不会到达半导体衬底；步骤4：在饱和的NaOH溶液中清洗以剥离模板；步骤5：在分子束外延设备中退火，由于半导体衬底里的原子、注入的金属离子的外扩散以及与砷的作用，完成量子环结构的制备。
其他摘要	一种在半导体衬底上制备量子环结构的方法，包含：步骤1：取一半导体衬底和制备好的阳极氧化铝通孔模板；步骤2：把制备好的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上，形成带有掩模板的半导体GaAs衬底；步骤3：将足够厚的阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入，形成具有周期性离子注入的带有阳极氧化铝模板的半导体衬底，目的是让金属离子通过阳极氧化铝通孔注入半导体衬底，在没有孔的区域，注入离子不会到达半导体衬底；步骤4：在饱和的NaOH溶液中清洗以剥离模板；步骤5：在分子束外延设备中退火，由于半导体衬底里的原子、注入的金属离子的外扩散以及与砷的作用，完成量子环结构的制备。
申请日期	2007-02-07
专利号	CN101241849B
专利状态	失效
申请号	CN200710063706.2
公开（公告）号	CN101241849B
IPC 分类号	H01L21/18 \| H01L21/266 \| H01L21/324 \| H01S5/00
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48005
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	周慧英,曲胜春,金鹏,等. 在半导体衬底上制备量子环结构的方法. CN101241849B[P]. 2011-10-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101241849B.PDF（357KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文