Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 垂直腔面发射微腔激光器 | |
| 其他题名 | 垂直腔面发射微腔激光器 |
| 宁永强; 刘云; 刘星元; 王立军; 武胜利; 吴东江; 赵家民; 潘玉寨; 索辉; 曹昌盛 | |
| 2001-03-07 | |
| 专利权人 | 中国科学院长春物理研究所 |
| 公开日期 | 2001-03-07 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型属于光电子技术领域,是一种垂直腔面发射的激光器。本实用新型的量子阱有源层4的上面是P型半导体分布布拉格反射镜3和金属电极1之间有一P－+欧姆接触层2。金属电极1、P－+欧姆接触层2、量子阱有源层4、P型半导体分布布拉格反射镜3和n型半导体分布布拉格反射镜6的上部构成圆柱形结构。n型半导体分布布拉格反射镜6的下部截面大于圆柱的截面,并在其上制有下金属电极5。n型半导体分布布拉格反射镜6的下面为半导体衬底7。本实用新型具有阀值电流低,光限制好等优点。 |
| 其他摘要 | 本实用新型属于光电子技术领域,是一种垂直腔面发射的激光器。本实用新型的量子阱有源层4的上面是P型半导体分布布拉格反射镜3和金属电极1之间有一P－+欧姆接触层2。金属电极1、P－+欧姆接触层2、量子阱有源层4、P型半导体分布布拉格反射镜3和n型半导体分布布拉格反射镜6的上部构成圆柱形结构。n型半导体分布布拉格反射镜6的下部截面大于圆柱的截面,并在其上制有下金属电极5。n型半导体分布布拉格反射镜6的下面为半导体衬底7。本实用新型具有阀值电流低,光限制好等优点。 |
| 申请日期 | 1999-11-12 |
| 专利号 | CN2422763Y |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN99253156.X |
| 公开（公告）号 | CN2422763Y |
| IPC 分类号 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 李恩庆 |
| 代理机构 | 中国科学院长春专利事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47984 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院长春物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宁永强,刘云,刘星元,等. 垂直腔面发射微腔激光器. CN2422763Y[P]. 2001-03-07. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN2422763Y.PDF（181KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [宁永强]的文章 |
| [刘云]的文章 |
| [刘星元]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [宁永强]的文章 |
| [刘云]的文章 |
| [刘星元]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [宁永强]的文章 |
| [刘云]的文章 |
| [刘星元]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论