基于双TFT调制的有机电致发光器件及其制备方法

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	基于双TFT调制的有机电致发光器件及其制备方法
其他题名	基于双TFT调制的有机电致发光器件及其制备方法
	郭坤平; 张琪; 刘诗琦; 李明; 魏梦杰; 徐韬; 魏斌
	2017-07-25
专利权人	上海大学
公开日期	2017-07-25
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提供了一种基于双TFT调制的有机电致发光器件及其制备方法，发光器件包括透明衬底，空穴传输层源极，空穴传输层漏极，空穴传输层，发光层引出电极；发光层，电子传输层，电子传输层源极，电子传输层漏极；本方法为在镀有高功函数源漏电极以及发光层引出电极的玻璃基板上采用高真空蒸镀的方法或旋涂发依次生长空穴传输层，发光层，电子传输层，最后采用真空蒸镀的方法蒸镀低功函数源漏电极。本发明通过新型的双TFT结构设计，能够主动调控电子和空穴的复合效率，且器件中电子和空穴的利用率能够达到100％。克服了传统电致发光器件中电子和空穴的被动复合，巧妙实现了发光器件性能的主动调控。
其他摘要	本发明提供了一种基于双TFT调制的有机电致发光器件及其制备方法，发光器件包括透明衬底，空穴传输层源极，空穴传输层漏极，空穴传输层，发光层引出电极；发光层，电子传输层，电子传输层源极，电子传输层漏极；本方法为在镀有高功函数源漏电极以及发光层引出电极的玻璃基板上采用高真空蒸镀的方法或旋涂发依次生长空穴传输层，发光层，电子传输层，最后采用真空蒸镀的方法蒸镀低功函数源漏电极。本发明通过新型的双TFT结构设计，能够主动调控电子和空穴的复合效率，且器件中电子和空穴的利用率能够达到100％。克服了传统电致发光器件中电子和空穴的被动复合，巧妙实现了发光器件性能的主动调控。
申请日期	2013-11-21
专利号	CN103594636B
专利状态	授权
申请号	CN201310589620.9
公开（公告）号	CN103594636B
IPC 分类号	H01L51/50 \| H01L51/56 \| H01S5/30
专利代理人	陆聪明
代理机构	上海上大专利事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47933
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	上海大学
推荐引用方式 GB/T 7714	郭坤平,张琪,刘诗琦,等. 基于双TFT调制的有机电致发光器件及其制备方法. CN103594636B[P]. 2017-07-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103594636B.PDF（158KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文