氮化镓激光器腔面的制作方法

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	氮化镓激光器腔面的制作方法
其他题名	氮化镓激光器腔面的制作方法
	田迎冬; 董鹏; 张韵; 闫建昌; 孙莉莉; 王军喜; 李晋闽
	2016-03-23
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2016-03-23
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种氮化镓激光器腔面的制作方法，包括：在衬底上外延生长氮化镓激光器结构，得到外延片，氮化镓激光器结构从衬底一侧依次包括n型欧姆接触层、n型限制层、n型波导层、量子阱、电子阻挡层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层；在外延片的欧姆接触层上涂覆光刻胶；应用光刻版进行标准光刻；在外延层片上蒸镀金属；在外延层上制作金属掩膜；刻蚀到激光器的n型光限制层；采用腐蚀液腐蚀刻蚀得到的腔面的侧壁；去除外延层表面的金属掩膜。本发明通过感应等离子体刻蚀和碱性溶液腐蚀的方法得到表面平整光滑的腔面，从而了消除干法腐蚀工艺后离子轰击作用对腔面造成的损伤，修复了等离子体对腔面造成的损伤，提高腔面的发射率。
其他摘要	本发明公开了一种氮化镓激光器腔面的制作方法，包括：在衬底上外延生长氮化镓激光器结构，得到外延片，氮化镓激光器结构从衬底一侧依次包括n型欧姆接触层、n型限制层、n型波导层、量子阱、电子阻挡层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层；在外延片的欧姆接触层上涂覆光刻胶；应用光刻版进行标准光刻；在外延层片上蒸镀金属；在外延层上制作金属掩膜；刻蚀到激光器的n型光限制层；采用腐蚀液腐蚀刻蚀得到的腔面的侧壁；去除外延层表面的金属掩膜。本发明通过感应等离子体刻蚀和碱性溶液腐蚀的方法得到表面平整光滑的腔面，从而了消除干法腐蚀工艺后离子轰击作用对腔面造成的损伤，修复了等离子体对腔面造成的损伤，提高腔面的发射率。
申请日期	2013-11-27
专利号	CN103701037B
专利状态	授权
申请号	CN201310637212.6
公开（公告）号	CN103701037B
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	宋焰琴
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47915
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	田迎冬,董鹏,张韵,等. 氮化镓激光器腔面的制作方法. CN103701037B[P]. 2016-03-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103701037B.PDF（1381KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文