一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法

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	一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法
其他题名	一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法
	梁松; 张灿; 于立强; 赵玲娟; 朱洪亮; 吉晨; 王圩
	2015-08-26
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2015-08-26
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法，方法包括如下步骤：在一衬底上依次生长下波导层、多量子阱有源区、上波导层；获得分布布拉格反馈区及相位区材料，其带隙波长小于激光器发光波长；在反馈区制作光栅；在整个管芯表面生长包层和电接触层材料；在反馈区、相位区及增益区的包层及电接触层上制作倒台浅脊波导结构，其波导侧壁为(111)A晶面；在电接触层上刻蚀电隔离沟，同时对隔离沟进行离子注入，在增益区和相区、相位区和反馈区之间实现电隔离。本发明在提高注入载流子浓度的同时保证反馈区具有较低的串联电阻，有利于增大器件波长调谐范围及提高波长调谐灵敏度。
其他摘要	本发明公开了一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法，方法包括如下步骤：在一衬底上依次生长下波导层、多量子阱有源区、上波导层；获得分布布拉格反馈区及相位区材料，其带隙波长小于激光器发光波长；在反馈区制作光栅；在整个管芯表面生长包层和电接触层材料；在反馈区、相位区及增益区的包层及电接触层上制作倒台浅脊波导结构，其波导侧壁为(111)A晶面；在电接触层上刻蚀电隔离沟，同时对隔离沟进行离子注入，在增益区和相区、相位区和反馈区之间实现电隔离。本发明在提高注入载流子浓度的同时保证反馈区具有较低的串联电阻，有利于增大器件波长调谐范围及提高波长调谐灵敏度。
申请日期	2013-10-31
专利号	CN103532014B
专利状态	授权
申请号	CN201310529374.8
公开（公告）号	CN103532014B
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/125 \| H01S5/042
专利代理人	宋焰琴
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47910
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	梁松,张灿,于立强,等. 一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法. CN103532014B[P]. 2015-08-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103532014B.PDF（385KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文