Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种GaN基异质结绿光激光器件 | |
| 其他题名 | 一种GaN基异质结绿光激光器件 |
| 王辉; 王冰; 赵洋; 李新忠; 王静鸽; 李贺贺 | |
| 2017-01-18 | |
| 专利权人 | 河南科技大学 |
| 公开日期 | 2017-01-18 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型涉及一种GaN基异质结绿光激光器件，包括蓝宝石衬底、蓝宝石衬底上外延生长的n‑GaN电子注入层、n‑GaN电子注入层上外延生长的InGaN/GaN量子阱层、InGaN/GaN量子阱层上的p‑NiO外延层、设置在p‑NiO外延层上的正电极和设置在n‑GaN电子注入层上的负电极；本实用新型采用p‑NiO代替p‑GaN作为空穴注入层和光散射层，制备成p‑NiO/(InGaN/GaN)MQW/n‑GaN异质结绿光激光器件，可以克服p型GaN外延层载流子浓度偏低，器件串联电阻大，工作电压高，器件输出功率低等缺点；同时NiO与GaN有相似的晶格常数及禁带宽度，采用p‑NiO作为p型材料与GaN基材料相匹配可以降低晶格失配，从而提高晶体质量。 |
| 其他摘要 | 本实用新型涉及一种GaN基异质结绿光激光器件，包括蓝宝石衬底、蓝宝石衬底上外延生长的n‑GaN电子注入层、n‑GaN电子注入层上外延生长的InGaN/GaN量子阱层、InGaN/GaN量子阱层上的p‑NiO外延层、设置在p‑NiO外延层上的正电极和设置在n‑GaN电子注入层上的负电极；本实用新型采用p‑NiO代替p‑GaN作为空穴注入层和光散射层，制备成p‑NiO/(InGaN/GaN)MQW/n‑GaN异质结绿光激光器件，可以克服p型GaN外延层载流子浓度偏低，器件串联电阻大，工作电压高，器件输出功率低等缺点；同时NiO与GaN有相似的晶格常数及禁带宽度，采用p‑NiO作为p型材料与GaN基材料相匹配可以降低晶格失配，从而提高晶体质量。 |
| 申请日期 | 2016-08-10 |
| 专利号 | CN205901069U |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201620861190.0 |
| 公开（公告）号 | CN205901069U |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 刘兴华 |
| 代理机构 | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47909 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 河南科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王辉,王冰,赵洋,等. 一种GaN基异质结绿光激光器件. CN205901069U[P]. 2017-01-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN205901069U.PDF（67KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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