基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法

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	基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法
其他题名	基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法
	孔端花; 朱洪亮; 梁松
	2011-08-31
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2011-08-31
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法，包括：在N型磷化铟衬底上依次外延制作InP缓冲层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和光栅层；制作无源波导区，另一侧为有源波导区；制作光栅；在有源波导区和无源波导区上依次外延制作光栅盖层、光限制层和电接触层；在电接触层上向下刻蚀出Y型脊波导；在光栅层的上面及Y型脊波导的表面生长二氧化硅绝缘层；将Y型脊波导上面的二氧化硅绝缘层腐蚀掉；在有源波导区上的Y型脊波导两臂的中间制作第一电隔离沟，在有源波导区上的DFB区和SOA区之间制作第二电隔离沟；在第一电隔离沟的两侧及第二电隔离沟的两侧制作P面电极；将N型磷化铟衬底减薄；在减薄后的N型磷化铟衬底的下面制作N面电极，完成器件的制作。
其他摘要	一种基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法，包括：在N型磷化铟衬底上依次外延制作InP缓冲层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和光栅层；制作无源波导区，另一侧为有源波导区；制作光栅；在有源波导区和无源波导区上依次外延制作光栅盖层、光限制层和电接触层；在电接触层上向下刻蚀出Y型脊波导；在光栅层的上面及Y型脊波导的表面生长二氧化硅绝缘层；将Y型脊波导上面的二氧化硅绝缘层腐蚀掉；在有源波导区上的Y型脊波导两臂的中间制作第一电隔离沟，在有源波导区上的DFB区和SOA区之间制作第二电隔离沟；在第一电隔离沟的两侧及第二电隔离沟的两侧制作P面电极；将N型磷化铟衬底减薄；在减薄后的N型磷化铟衬底的下面制作N面电极，完成器件的制作。
申请日期	2010-07-14
专利号	CN101938083B
专利状态	失效
申请号	CN201010231175.5
公开（公告）号	CN101938083B
IPC 分类号	H01S5/12 \| H01S5/068 \| H01S5/042 \| H01S5/40
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47881
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	孔端花,朱洪亮,梁松. 基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法. CN101938083B[P]. 2011-08-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101938083B.PDF（412KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文