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Edge-emitting etched-facet lasers
其他题名Edge-emitting etched-facet lasers
BEHFAR, ALEX A.; GREEN, MALCOLM R.; STAGARESCU, CRISTIAN
2018-07-31
专利权人MACOM TECHNOLOGY SOLUTIONS HOLDINGS, INC.
公开日期2018-07-31
授权国家美国
专利类型授权发明
摘要A laser chip having a substrate, an epitaxial structure on the substrate, the epitaxial structure including an active region and the active region generating light, a waveguide formed in the epitaxial structure extending in a first direction, the waveguide having a front etched facet and a back etched facet that define an edge-emitting laser, and a first recessed region formed in the epitaxial structure, the first recessed region being arranged at a distance from the waveguide and having an opening adjacent to the back etched facet, the first recessed region facilitating testing of an adjacent laser chip prior to singulation of the laser chip.
其他摘要一种激光芯片,具有基板,基板上的外延结构,包括有源区和产生光的有源区的外延结构,形成在沿第一方向延伸的外延结构中的波导,该波导具有前蚀刻面和限定边缘发射激光器的背面蚀刻面和形成在外延结构中的第一凹陷区域,第一凹陷区域布置在距波导一定距离处并且具有与背面蚀刻面相邻的开口,第一凹陷区域便于在单片化激光器芯片之前测试相邻的激光器芯片。
申请日期2017-12-01
专利号US10038298
专利状态授权
申请号US15/829151
公开(公告)号US10038298
IPC 分类号H01S5/00 | H01S5/10 | H01S5/02 | H01S5/22 | H01S5/20 | H01S5/343 | H01S5/223 | H01S5/12 | G01R31/26 | H01S5/028
专利代理人-
代理机构WILMER CUTLER PICKERING HALE AND DORR LLP
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47853
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MACOM TECHNOLOGY SOLUTIONS HOLDINGS, INC.
推荐引用方式
GB/T 7714
BEHFAR, ALEX A.,GREEN, MALCOLM R.,STAGARESCU, CRISTIAN. Edge-emitting etched-facet lasers. US10038298[P]. 2018-07-31.
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