Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Edge-emitting etched-facet lasers | |
其他题名 | Edge-emitting etched-facet lasers |
BEHFAR, ALEX A.; GREEN, MALCOLM R.; STAGARESCU, CRISTIAN | |
2018-07-31 | |
专利权人 | MACOM TECHNOLOGY SOLUTIONS HOLDINGS, INC. |
公开日期 | 2018-07-31 |
授权国家 | 美国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | A laser chip having a substrate, an epitaxial structure on the substrate, the epitaxial structure including an active region and the active region generating light, a waveguide formed in the epitaxial structure extending in a first direction, the waveguide having a front etched facet and a back etched facet that define an edge-emitting laser, and a first recessed region formed in the epitaxial structure, the first recessed region being arranged at a distance from the waveguide and having an opening adjacent to the back etched facet, the first recessed region facilitating testing of an adjacent laser chip prior to singulation of the laser chip. |
其他摘要 | 一种激光芯片,具有基板,基板上的外延结构,包括有源区和产生光的有源区的外延结构,形成在沿第一方向延伸的外延结构中的波导,该波导具有前蚀刻面和限定边缘发射激光器的背面蚀刻面和形成在外延结构中的第一凹陷区域,第一凹陷区域布置在距波导一定距离处并且具有与背面蚀刻面相邻的开口,第一凹陷区域便于在单片化激光器芯片之前测试相邻的激光器芯片。 |
申请日期 | 2017-12-01 |
专利号 | US10038298 |
专利状态 | 授权 |
申请号 | US15/829151 |
公开(公告)号 | US10038298 |
IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/10 | H01S5/02 | H01S5/22 | H01S5/20 | H01S5/343 | H01S5/223 | H01S5/12 | G01R31/26 | H01S5/028 |
专利代理人 | - |
代理机构 | WILMER CUTLER PICKERING HALE AND DORR LLP |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47853 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | MACOM TECHNOLOGY SOLUTIONS HOLDINGS, INC. |
推荐引用方式 GB/T 7714 | BEHFAR, ALEX A.,GREEN, MALCOLM R.,STAGARESCU, CRISTIAN. Edge-emitting etched-facet lasers. US10038298[P]. 2018-07-31. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
US10038298.PDF(1084KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论