Semiconductor light-emitting device and manufacturing method for the same

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	Semiconductor light-emitting device and manufacturing method for the same
其他题名	Semiconductor light-emitting device and manufacturing method for the same
	HIROSE, KAZUYOSHI; KUROSAKA, YOSHITAKA; SUGIYAMA, TAKAHIRO; TAKIGUCHI, YUU; NOMOTO, YOSHIRO
	2018-06-05
专利权人	HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
公开日期	2018-06-05
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	The embodiment relates to a semiconductor light-emitting device comprising a semiconductor substrate, a first cladding layer, an active layer, a second cladding layer, a contact layer, and a phase modulation layer located between the first cladding and active layers or between the active and second cladding layers. The phase modulation layer comprises a basic layer and plural first modified refractive index regions different from the basic layer in a refractive index. In a virtual square lattice set on the phase modulation layer such that the modified refractive index region is allocated in each of unit constituent regions constituting square lattices, the modified refractive index region is arranged to allow its gravity center position to be separated from the lattice point of the corresponding unit constituent region, and to have a rotation angle about the lattice point according a desired optical image.
其他摘要	该实施例涉及一种半导体发光装置，包括半导体衬底，第一覆层，有源层，第二覆层，接触层和位于第一覆层和有源层之间或有源层之间的相位调制层。和第二包层。相位调制层包括基本层和折射率不同于基本层的多个第一改性折射率区域。在设置在相位调制层上的虚拟正方形格子中，使得修改的折射率区域被分配在构成正方形格子的每个单位构成区域中，修改的折射率区域被布置为允许其重心位置与格点分离。相应的单位构成区域，根据所需的光学图像，具有围绕格点的旋转角度。
申请日期	2017-07-21
专利号	US9991669
专利状态	授权
申请号	US15/656096
公开（公告）号	US9991669
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/183 \| H01S5/187 \| H01S5/026
专利代理人	-
代理机构	DRINKER BIDDLE & REATH LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47847
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
推荐引用方式 GB/T 7714	HIROSE, KAZUYOSHI,KUROSAKA, YOSHITAKA,SUGIYAMA, TAKAHIRO,et al. Semiconductor light-emitting device and manufacturing method for the same. US9991669[P]. 2018-06-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US9991669.PDF（5765KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文