Semiconductor light-emitting device using graded multi quantum barrier

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	Semiconductor light-emitting device using graded multi quantum barrier
其他题名	Semiconductor light-emitting device using graded multi quantum barrier
	WATATANI, CHIKARA; HANAMAKI, YOSHIHIKO
	2004-10-12
专利权人	MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
公开日期	2004-10-12
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	In a semiconductor light-emitting device, an active layer has a multi quantum well structure (MQW) barrier layers and quantum well layers alternately arranged. Each of the cladding layers has a multi quantum barrier structure (MQB) including barrier layers and well layers alternately arranged. The multi quantum barrier (MQB) of each of the cladding layers varies in a graded or stepwise form. Thus, charge carriers are prevented from overflowing from the active layer, preventing cut-off of a guided wave mode, increasing reflectance of electrons entering the energy barriers, and improving temperature characteristics.
其他摘要	在半导体发光器件中，有源层具有交替排列的多量子阱结构（MQW）势垒层和量子阱层。每个包层具有多量子势垒结构（MQB），其包括交替排列的阻挡层和阱层。每个包层的多量子势垒（MQB）以渐变或逐步的形式变化。因此，防止电荷载流子从有源层溢出，防止导波模式的截止，增加进入能垒的电子的反射率，以及改善温度特性。
申请日期	2002-12-19
专利号	US6803597
专利状态	授权
申请号	US10/322675
公开（公告）号	US6803597
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/00 \| H01S5/34 \| H01L33/00 \| H01S5/20 \| B82Y20/00 \| H01S5/32 \| H01L29/15
专利代理人	-
代理机构	LEYDIG,VOIT & MAYER,LTD.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47794
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
推荐引用方式 GB/T 7714	WATATANI, CHIKARA,HANAMAKI, YOSHIHIKO. Semiconductor light-emitting device using graded multi quantum barrier. US6803597[P]. 2004-10-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US6803597.PDF（617KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文