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Combination index/gain guided semiconductor lasers
其他题名Combination index/gain guided semiconductor lasers
SCIFRES, DONALD R.; STREIFER, WILLIAM; BURNHAM, ROBERT D.
1993-12-28
专利权人XEROX CORPORATION
公开日期1993-12-28
授权国家加拿大
专利类型授权发明
摘要ABSTRACT A semiconductor laser is provided with one or more layers forming an active region for supporting radiation propogating under lasing conditions in an optical cavity established between transverse end facets of the laser. The active region is characterized by having a combination index and gain guiding region. The regions between the central region and the end facets may be provided with sufficiently thin active region thickness to form a synthetic transparent or quantum well wave- guide so as not to be radiation absorbing due to the quantization of electron states.
其他摘要摘要半导体激光器具有一个或多个层,形成有源区,用于支持在激光器的横向端面之间建立的光学腔中在激光条件下传播的辐射。有源区的特征在于具有组合指数和增益引导区域。中心区域和端面之间的区域可以具有足够薄的有源区厚度,以形成合成透明或量子阱波导,从而不会由于电子态的量化而吸收辐射。
申请日期1984-01-13
专利号CA1325670C
专利状态失效
申请号CA0445219
公开(公告)号CA1325670C
IPC 分类号H01S5/16 | H01S3/07 | H01S3/08 | H01S5/10 | H01S5/042 | H01S5/223 | H01S5/343 | H01S5/40 | H01S5/00 | H01S3/19
专利代理人SIM & MCBURNEY
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47783
专题半导体激光器专利数据库
作者单位XEROX CORPORATION
推荐引用方式
GB/T 7714
SCIFRES, DONALD R.,STREIFER, WILLIAM,BURNHAM, ROBERT D.. Combination index/gain guided semiconductor lasers. CA1325670C[P]. 1993-12-28.
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