Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Combination index/gain guided semiconductor lasers | |
其他题名 | Combination index/gain guided semiconductor lasers |
SCIFRES, DONALD R.; STREIFER, WILLIAM; BURNHAM, ROBERT D. | |
1993-12-28 | |
专利权人 | XEROX CORPORATION |
公开日期 | 1993-12-28 |
授权国家 | 加拿大 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | ABSTRACT A semiconductor laser is provided with one or more layers forming an active region for supporting radiation propogating under lasing conditions in an optical cavity established between transverse end facets of the laser. The active region is characterized by having a combination index and gain guiding region. The regions between the central region and the end facets may be provided with sufficiently thin active region thickness to form a synthetic transparent or quantum well wave- guide so as not to be radiation absorbing due to the quantization of electron states. |
其他摘要 | 摘要半导体激光器具有一个或多个层,形成有源区,用于支持在激光器的横向端面之间建立的光学腔中在激光条件下传播的辐射。有源区的特征在于具有组合指数和增益引导区域。中心区域和端面之间的区域可以具有足够薄的有源区厚度,以形成合成透明或量子阱波导,从而不会由于电子态的量化而吸收辐射。 |
申请日期 | 1984-01-13 |
专利号 | CA1325670C |
专利状态 | 失效 |
申请号 | CA0445219 |
公开(公告)号 | CA1325670C |
IPC 分类号 | H01S5/16 | H01S3/07 | H01S3/08 | H01S5/10 | H01S5/042 | H01S5/223 | H01S5/343 | H01S5/40 | H01S5/00 | H01S3/19 |
专利代理人 | SIM & MCBURNEY |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47783 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | XEROX CORPORATION |
推荐引用方式 GB/T 7714 | SCIFRES, DONALD R.,STREIFER, WILLIAM,BURNHAM, ROBERT D.. Combination index/gain guided semiconductor lasers. CA1325670C[P]. 1993-12-28. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CA1325670C.PDF(1239KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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