Method of making semiconductor laser devices

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Method of making semiconductor laser devices
其他题名	Method of making semiconductor laser devices
	SHIMOYAMA, KENJI; GOTOH, HIDEKI
	1992-09-08
专利权人	MITSUBISHI KASEI CORPORATION
公开日期	1992-09-08
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	Carrier injection layers are formed on an AlxGa1-x As clad layer of high resistance by embedding and re-growth with the use of crystal growth processes such as MO-VPE or MO-MBE where material supply sources are all provided by gas sources, whereby it is not required to mesa-etch embedding regions to a depth reaching a substrate. The formation of any separate blocking layer is dispensed with, any possible influence of the substrate is elminated, and the time constant is decreased by decreasing the inter-electrode capacity.
其他摘要	通过使用诸如MO-VPE或MO-MBE的晶体生长工艺，通过嵌入和再生长在AlxGa1-x As包层上形成载流子注入层，其中材料供应源全部由气源提供，由此不需要将嵌入区域蚀刻到达到衬底的深度。省去任何单独的阻挡层的形成，消除衬底的任何可能的影响，并且通过降低电极间容量来降低时间常数。
申请日期	1990-06-29
专利号	US5145807
专利状态	失效
申请号	US07/545794
公开（公告）号	US5145807
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/00 \| H01S5/22 \| H01S5/227 \| H01S5/042 \| H01L21/18
专利代理人	-
代理机构	ARMSTRONG & KUBOVCIK
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47744
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUBISHI KASEI CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	SHIMOYAMA, KENJI,GOTOH, HIDEKI. Method of making semiconductor laser devices. US5145807[P]. 1992-09-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US5145807.PDF（120KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文