Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
光双安定半導体レーザ | |
其他题名 | 光双安定半導体レーザ |
町田 豊稔; 延原 裕之 | |
2001-02-23 | |
专利权人 | 富士通株式会社 |
公开日期 | 2001-04-25 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | PURPOSE:To provide an optical bistable semiconductor laser in an optical bistable semiconductor laser switchable with an optical input, the foregoing laser being capable of effective utilzation of the optical input light and not permitting the input light to be mixed into an optical output light. CONSTITUTION:There are provided a signal crystal semiconductor substrate 11, a semiconductor optical resonator structure 24 including an active region possessing a function to amplify light and a saturable adsorption region 16 both formed on the single crystal semiconductor substrate 11, and defining in a first plane a narrow optical path surface through which the light advances, and a diffraction grating 13 formed on the single crystal semiconductor substrate 11 for diffracting predetermined light incident from the first plane and directing the light from a direction intersecting the narrow optical path surface to the saturable absorption region 16. |
其他摘要 | 目的:为了在可通过光输入切换的光学双稳态半导体激光器中提供光学双稳态半导体激光器,上述激光器能够有效地利用光学输入光并且不允许输入光混合成光学输出光。组成:提供信号晶体半导体基板11,半导体光学谐振器结构24,其包括具有放大光功能的有源区域和可饱和吸附区域16,两者均形成在单晶半导体基板11上,并限定在第一平面中光进入的窄光路面和形成在单晶半导体基板11上的衍射光栅13,用于衍射从第一平面入射的预定光,并将光从与窄光路表面交叉的方向导向可饱和吸收地区16。 |
申请日期 | 1991-03-20 |
专利号 | JP3162411B2 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1991057428 |
公开(公告)号 | JP3162411B2 |
IPC 分类号 | G02F3/02 | H01S5/50 | H01S | G02F | H01S5/042 | G02F1/025 | H01S5/00 | G02F1/35 |
专利代理人 | 高橋 敬四郎 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47469 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 富士通株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 町田 豊稔,延原 裕之. 光双安定半導体レーザ. JP3162411B2[P]. 2001-02-23. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP3162411B2.PDF(60KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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