OPT OpenIR  > 半导体激光器专利数据库
光双安定半導体レーザ
其他题名光双安定半導体レーザ
町田 豊稔; 延原 裕之
2001-02-23
专利权人富士通株式会社
公开日期2001-04-25
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要PURPOSE:To provide an optical bistable semiconductor laser in an optical bistable semiconductor laser switchable with an optical input, the foregoing laser being capable of effective utilzation of the optical input light and not permitting the input light to be mixed into an optical output light. CONSTITUTION:There are provided a signal crystal semiconductor substrate 11, a semiconductor optical resonator structure 24 including an active region possessing a function to amplify light and a saturable adsorption region 16 both formed on the single crystal semiconductor substrate 11, and defining in a first plane a narrow optical path surface through which the light advances, and a diffraction grating 13 formed on the single crystal semiconductor substrate 11 for diffracting predetermined light incident from the first plane and directing the light from a direction intersecting the narrow optical path surface to the saturable absorption region 16.
其他摘要目的:为了在可通过光输入切换的光学双稳态半导体激光器中提供光学双稳态半导体激光器,上述激光器能够有效地利用光学输入光并且不允许输入光混合成光学输出光。组成:提供信号晶体半导体基板11,半导体光学谐振器结构24,其包括具有放大光功能的有源区域和可饱和吸附区域16,两者均形成在单晶半导体基板11上,并限定在第一平面中光进入的窄光路面和形成在单晶半导体基板11上的衍射光栅13,用于衍射从第一平面入射的预定光,并将光从与窄光路表面交叉的方向导向可饱和吸收地区16。
申请日期1991-03-20
专利号JP3162411B2
专利状态失效
申请号JP1991057428
公开(公告)号JP3162411B2
IPC 分类号G02F3/02 | H01S5/50 | H01S | G02F | H01S5/042 | G02F1/025 | H01S5/00 | G02F1/35
专利代理人高橋 敬四郎
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47469
专题半导体激光器专利数据库
作者单位富士通株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
町田 豊稔,延原 裕之. 光双安定半導体レーザ. JP3162411B2[P]. 2001-02-23.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
JP3162411B2.PDF(60KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[町田 豊稔]的文章
[延原 裕之]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[町田 豊稔]的文章
[延原 裕之]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[町田 豊稔]的文章
[延原 裕之]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。