Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光信号増幅素子 | |
| 其他题名 | 光信号増幅素子 |
| 伊藤 敏夫; 神徳 正樹; 曲 克昭 | |
| 2001-12-21 | |
| 专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 公开日期 | 2002-03-04 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 光導波路としてバリアの高いものを利用しつつ、光増幅器への電流注入を容易にする光信号増幅素子を得る。 【構成】 半導体基板302と、該基板上に形成された少なくとも光導波層を有する光導波路と、該光導波路上に装荷された少なくとも活性層と電流を注入する電極とを有する光増幅器から構成される光信号増幅素子において、前記光導波路103が多重量子井戸構造から形成され、そのバリア層の電子もしくは正孔に対する障壁の高さがクラッド層よりも高い材料からなり、前記光増幅器の活性層104の片側にn型の半導体層105、逆側にp型の半導体層106を有する。前記バリア層として、InGaAlAsまたはInAlAsを用いる。前記光増幅器の活性層の上に高抵抗層または絶縁層を有する。 |
| 其他摘要 | 目的：获得一种光信号放大元件，便于在使用高阻挡光波导的同时将电流注入光放大器。组成：在由半导体基板102构成的光信号放大元件中，形成在基板102上并至少具有光波导层的光波导103和装在光波导103上并至少具有有源层104的光放大器用于注入电流的电极，光波导103由多量子阱结构形成，并且由阻挡层具有比包层更高的电子或空穴阻挡的材料和N型半导体构成。层105设置在光放大器的有源层104的一侧，而在其另一侧设置有P型半导体层106。 InGaAlAs或InAlAs用作阻挡层。在光放大器的有源层上提供高电阻层或绝缘层。 |
| 申请日期 | 1993-06-17 |
| 专利号 | JP3262298B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993146023 |
| 公开（公告）号 | JP3262298B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/00 | G02F | G02F1/35 | H01S3/10 | H01S5/50 | H01S3/06 |
| 专利代理人 | 秋田 収喜 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47419 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 敏夫,神徳 正樹,曲 克昭. 光信号増幅素子. JP3262298B2[P]. 2001-12-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3262298B2.PDF（21KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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