Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 近紫外或紫光激发的半导体发光材料及其制法 | |
| 其他题名 | 近紫外或紫光激发的半导体发光材料及其制法 |
| 余锡宾; 周平乐 | |
| 2009-07-01 | |
| 专利权人 | 上海师范大学 |
| 公开日期 | 2009-07-01 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种近紫外或紫光激发的半导体发光材料，其组成为ZnO：Sx，My且10-4≤x≤10-2，0≤y≤0.2，其中M是选自锂、钠、钾的碱金属元素或者铕、铽的稀土元素，M为钠时具有更好的发光效果。还公开了该发光材料的低温液相法结合高温固相法的制备方法及性能的检测结果。本发明在较简单的工艺条件下，制备出微细高效荧光粉末材料，在370～440nm的长波紫外及蓝光可见光区有强的吸收，在450～600nm有强的发射。可用于黄绿光发光器件(LED)、激光二极管(LD)等。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种近紫外或紫光激发的半导体发光材料，其组成为ZnO：Sx，My且10-4≤x≤10-2，0≤y≤0.2，其中M是选自锂、钠、钾的碱金属元素或者铕、铽的稀土元素，M为钠时具有更好的发光效果。还公开了该发光材料的低温液相法结合高温固相法的制备方法及性能的检测结果。本发明在较简单的工艺条件下，制备出微细高效荧光粉末材料，在370～440nm的长波紫外及蓝光可见光区有强的吸收，在450～600nm有强的发射。可用于黄绿光发光器件(LED)、激光二极管(LD)等。 |
| 申请日期 | 2006-02-21 |
| 专利号 | CN100506945C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200610024036.9 |
| 公开（公告）号 | CN100506945C |
| IPC 分类号 | C09K11/56 | C09K11/84 | H01L51/54 | G09F13/20 |
| 专利代理人 | 余明伟 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47162 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 上海师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 余锡宾,周平乐. 近紫外或紫光激发的半导体发光材料及其制法. CN100506945C[P]. 2009-07-01. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN100506945C.PDF（482KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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