一种真空解理大功率半导体激光器腔面氮钝化方法

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	一种真空解理大功率半导体激光器腔面氮钝化方法
其他题名	一种真空解理大功率半导体激光器腔面氮钝化方法
	崔碧峰; 陈京湘; 计伟; 郭伟玲
	2013-07-10
专利权人	北京工业大学
公开日期	2013-07-10
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种真空解理大功率半导体激光器腔面氮钝化方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。本发明意义在于在保证半导体激光器输出功率不变的情况下，提高光学灾变阈值，降低激光器退化速率，延长激光器使用寿命。此方法先在真空解理机中把半导体激光器芯片解理成Ba条，此过程通入高纯氮气作为保护气体，使整个解理过程处在高纯氮气的氛围中，减少解理后新鲜腔面悬挂键。解理后，迅速把激光器芯片Bar条放入真空镀膜机，用氮离子进行腔面深度钝化，形成GaN钝化层，再用氢离子去除氮钝化生成无用杂质。在半导体激光器形成GaN钝化层后在前后腔面分别进行增透膜和高反膜镀制。此技术方案可应用于各类大功率半导体激光器制造。
其他摘要	一种真空解理大功率半导体激光器腔面氮钝化方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。本发明意义在于在保证半导体激光器输出功率不变的情况下，提高光学灾变阈值，降低激光器退化速率，延长激光器使用寿命。此方法先在真空解理机中把半导体激光器芯片解理成Ba条，此过程通入高纯氮气作为保护气体，使整个解理过程处在高纯氮气的氛围中，减少解理后新鲜腔面悬挂键。解理后，迅速把激光器芯片Bar条放入真空镀膜机，用氮离子进行腔面深度钝化，形成GaN钝化层，再用氢离子去除氮钝化生成无用杂质。在半导体激光器形成GaN钝化层后在前后腔面分别进行增透膜和高反膜镀制。此技术方案可应用于各类大功率半导体激光器制造。
申请日期	2012-01-12
专利号	CN102570294B
专利状态	失效
申请号	CN201210009274.8
公开（公告）号	CN102570294B
IPC 分类号	H01S5/028
专利代理人	刘萍
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47147
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	崔碧峰,陈京湘,计伟,等. 一种真空解理大功率半导体激光器腔面氮钝化方法. CN102570294B[P]. 2013-07-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102570294B.PDF（281KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文