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一种半导体激光器直接倍频装置
其他题名一种半导体激光器直接倍频装置
孟慧成; 阮旭; 谭昊; 杜维川; 余俊宏; 王昭; 吴华玲; 高松信; 武德勇
2016-06-15
专利权人中国工程物理研究院应用电子学研究所
公开日期2016-06-15
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要本实用新型提供了一种半导体激光器直接倍频装置,该方案为半导体激光器发射出的激光束依次经过光谱合束及压窄机构、隔离器、耦合透镜、TEC温度控制模块、非线性倍频晶体和第二耦合输出镜后输出。该方案能够实现每个合束单元波长的锁定压窄和模式选择,同时将发光单元激光束空间近场和远场重叠成一束输出,极大的改善合束之后的光束质量,于是实现了高功率输出条件下实现高光束质量输出,对应的锁定光谱具有很高的谱亮度。
其他摘要本实用新型提供了一种半导体激光器直接倍频装置,该方案为半导体激光器发射出的激光束依次经过光谱合束及压窄机构、隔离器、耦合透镜、TEC温度控制模块、非线性倍频晶体和第二耦合输出镜后输出。该方案能够实现每个合束单元波长的锁定压窄和模式选择,同时将发光单元激光束空间近场和远场重叠成一束输出,极大的改善合束之后的光束质量,于是实现了高功率输出条件下实现高光束质量输出,对应的锁定光谱具有很高的谱亮度。
申请日期2015-10-30
专利号CN205319505U
专利状态授权
申请号CN201520851984.4
公开(公告)号CN205319505U
IPC 分类号H01S3/0941 | H01S3/109
专利代理人卿诚
代理机构成都九鼎天元知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47125
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国工程物理研究院应用电子学研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
孟慧成,阮旭,谭昊,等. 一种半导体激光器直接倍频装置. CN205319505U[P]. 2016-06-15.
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