一种P型金属电极制备焊料的半导体激光器

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	一种P型金属电极制备焊料的半导体激光器
其他题名	一种P型金属电极制备焊料的半导体激光器
	崔碧峰; 刘梦涵; 凌小涵; 何新
	2017-12-01
专利权人	北京工业大学
公开日期	2017-12-01
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种P型金属电极制备焊料的半导体激光器属于半导体光电子技术领域。本发明的提出是为了解决倒装焊时，半导体激光器管芯与热沉之间由于共熔性差导致的焊层内部存在空隙、焊接不牢等问题。本发明涉及的半导体激光器关键结构在于在P型金属电极上制备Au‑Sn焊料层。该Au‑Sn焊料层有两种结构，一种是Au、Sn分层结构，另一种是Au‑Sn合金结构，两种结构中Au、Sn的质量比均为80:20。本发明提高了焊接质量，延长了器件的寿命，对于器件长期高可靠性工作十分有利。
其他摘要	一种P型金属电极制备焊料的半导体激光器属于半导体光电子技术领域。本发明的提出是为了解决倒装焊时，半导体激光器管芯与热沉之间由于共熔性差导致的焊层内部存在空隙、焊接不牢等问题。本发明涉及的半导体激光器关键结构在于在P型金属电极上制备Au‑Sn焊料层。该Au‑Sn焊料层有两种结构，一种是Au、Sn分层结构，另一种是Au‑Sn合金结构，两种结构中Au、Sn的质量比均为80:20。本发明提高了焊接质量，延长了器件的寿命，对于器件长期高可靠性工作十分有利。
主权项	一种P型金属电极制备焊料的半导体激光器，其特征在于：该激光器包括有源区(1)、P型金属电极(2)、Au-Sn焊料层(3)，其在P型金属电极(2)之上制备Au-Sn焊料层(3)；Au-Sn焊料层(3)采用Au、Sn分层结构或者Au-Sn合金层结构，两种结构中Au层、Sn层的质量比均为80:20；所述Au-Sn焊料层(3)完全覆盖在整个P型金属电极(2)之上，P型金属电极(2)覆盖在有源区(1)上；所述的激光器为p面朝下的倒装焊形式，为端面发射结构或者垂直腔面发射结构中的一种；所述的激光器的材料体系为GaAs系材料、GaN系材料、InP系材料、GaSb系材料中的一种；具体实施步骤为： A对制备好P型金属电极(2)的普通半导体激光器芯片进行清洗，并进行去氧化处理； B制备Au-Sn焊料层(3)；在步骤B中，若Au-Sn焊料层(3)采用分层结构，制备工艺采用磁控溅射或者电子束蒸发或者电镀的方法在P型金属电极(2)上先沉积Sn焊料，Sn层完全覆盖在整个P型金属电极(2)之上；然后在Sn层之上采用磁控溅射或者电子束蒸发或者电镀的方法制备Au层；若Au-Sn焊料层(3)采用合金结构，制备工艺为采用合金电镀或者合金磁控溅射在P型金属电极上沉积Au-Sn合金焊料层。
申请日期	2014-07-08
专利号	CN104104009B
专利状态	授权
申请号	CN201410323169.0
公开（公告）号	CN104104009B
IPC 分类号	H01S5/02
专利代理人	沈波
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46968
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	崔碧峰,刘梦涵,凌小涵,等. 一种P型金属电极制备焊料的半导体激光器. CN104104009B[P]. 2017-12-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104104009B.PDF（271KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文