一种斜侧壁倾斜波导光子晶体半导体激光器

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	一种斜侧壁倾斜波导光子晶体半导体激光器
其他题名	一种斜侧壁倾斜波导光子晶体半导体激光器
	郑婉华; 刘磊; 刘云; 渠红伟; 张冶金; 郭文华; 石岩
	2016-09-14
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2016-09-14
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种斜侧壁倾斜波导光子晶体半导体激光器，包括：叠层结构，该叠层结构包括：N型衬底；形成于N型衬底下表面的下电极；形成于N型衬底上表面的N型限制层；形成于N型限制层之上的光子晶体；形成于光子晶体之上的有源层；形成于有源层之上的P型限制层；及形成于P型限制层之上的P型盖层；从叠层结构表面对叠层结构进行刻蚀于叠层结构上部中间位置形成的端面为正梯形的脊型结构；于具有脊型结构的叠层结构之上形成的SiO2绝缘层；以及去除脊型结构上表面的SiO2绝缘层并于露出的P型盖层之上及未被去除的SiO2绝缘层表面形成的上电极。利用本发明可以降低窄垂直发散角光子晶体半导体激光器的制作成本，提高激光器的综合性能。
其他摘要	本发明公开了一种斜侧壁倾斜波导光子晶体半导体激光器，包括：叠层结构，该叠层结构包括：N型衬底；形成于N型衬底下表面的下电极；形成于N型衬底上表面的N型限制层；形成于N型限制层之上的光子晶体；形成于光子晶体之上的有源层；形成于有源层之上的P型限制层；及形成于P型限制层之上的P型盖层；从叠层结构表面对叠层结构进行刻蚀于叠层结构上部中间位置形成的端面为正梯形的脊型结构；于具有脊型结构的叠层结构之上形成的SiO2绝缘层；以及去除脊型结构上表面的SiO2绝缘层并于露出的P型盖层之上及未被去除的SiO2绝缘层表面形成的上电极。利用本发明可以降低窄垂直发散角光子晶体半导体激光器的制作成本，提高激光器的综合性能。
主权项	一种斜侧壁倾斜波导光子晶体半导体激光器，其特征在于，该激光器包括：叠层结构，该叠层结构包括： N型衬底(102)；形成于该N型衬底(102)下表面的下电极(101)；形成于该N型衬底上表面的N型限制层(103)；形成于该N型限制层之上的光子晶体(104)；形成于该光子晶体之上的有源层(105)；形成于该有源层之上的P型限制层(106)；及形成于该P型限制层之上的P型盖层(107)；从该叠层结构表面对该叠层结构进行刻蚀于该叠层结构上部中间位置形成的端面为正梯形的脊型结构，其中该刻蚀是刻蚀至该光子晶体(104)中；于具有该脊型结构的该叠层结构之上形成的SiO2绝缘层(108)；以及去除该脊型结构上表面的SiO2绝缘层并于露出的P型盖层(107)之上及未被去除的SiO2绝缘层表面形成的上电极(109)。
申请日期	2014-03-25
专利号	CN103904556B
专利状态	授权
申请号	CN201410112845.X
公开（公告）号	CN103904556B
IPC 分类号	H01S5/22
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46932
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	郑婉华,刘磊,刘云,等. 一种斜侧壁倾斜波导光子晶体半导体激光器. CN103904556B[P]. 2016-09-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103904556B.PDF（148KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文