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面発光半導体レーザ装置およびその製造方法
其他题名面発光半導体レーザ装置およびその製造方法
石井 亮次; 中山 秀生; 村上 朱実; 向山 尚孝; 桑田 靖章
2011-09-16
专利权人富士ゼロックス株式会社
公开日期2011-11-24
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要【課題】 VCSELのレーザ特性の劣化を防止し高寿命の樹脂封止された面発光型半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体レーザ装置1は、メサ12と、メサ12の周囲に形成されたトレンチ溝14によってメサ12から隔離された外周部16を含むVCSELと、トレンチ溝14内に充填された透光性の樹脂18とを備えている。トレンチ溝14内の樹脂の熱応力を緩和するため、メサ12と対向する外周部16の側壁に基板と垂直方向に延在する複数の溝20が形成されている。 【選択図】図1
其他摘要要解决的问题:提供一种由长寿命树脂密封的表面发光半导体激光器件,以防止VCSEL的激光特性恶化。解决方案:半导体激光器件1设置有VCSEL,VCSEL包括台面12和外围单元16,外围单元16通过围绕台面12形成的沟槽14与台面12分离,并且半透明树脂18填充到沟槽14中。为了减轻沟槽14中树脂的热应力,在外周单元16的与台面12相对的侧壁上形成多个延伸到与基板垂直的方向的沟槽20。
主权项-
申请日期2005-06-15
专利号JP4821961B2
专利状态授权
申请号JP2005175432
公开(公告)号JP4821961B2
IPC 分类号H01S5/022 | H01S5/183
专利代理人片寄 恭三 | 片山 修平
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46926
专题半导体激光器专利数据库
作者单位富士ゼロックス株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
石井 亮次,中山 秀生,村上 朱実,等. 面発光半導体レーザ装置およびその製造方法. JP4821961B2[P]. 2011-09-16.
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