Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
面発光半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
其他题名 | 面発光半導体レーザ装置およびその製造方法 |
石井 亮次; 中山 秀生; 村上 朱実; 向山 尚孝; 桑田 靖章 | |
2011-09-16 | |
专利权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
公开日期 | 2011-11-24 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 【課題】 VCSELのレーザ特性の劣化を防止し高寿命の樹脂封止された面発光型半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体レーザ装置1は、メサ12と、メサ12の周囲に形成されたトレンチ溝14によってメサ12から隔離された外周部16を含むVCSELと、トレンチ溝14内に充填された透光性の樹脂18とを備えている。トレンチ溝14内の樹脂の熱応力を緩和するため、メサ12と対向する外周部16の側壁に基板と垂直方向に延在する複数の溝20が形成されている。 【選択図】図1 |
其他摘要 | 要解决的问题:提供一种由长寿命树脂密封的表面发光半导体激光器件,以防止VCSEL的激光特性恶化。解决方案:半导体激光器件1设置有VCSEL,VCSEL包括台面12和外围单元16,外围单元16通过围绕台面12形成的沟槽14与台面12分离,并且半透明树脂18填充到沟槽14中。为了减轻沟槽14中树脂的热应力,在外周单元16的与台面12相对的侧壁上形成多个延伸到与基板垂直的方向的沟槽20。 |
主权项 | - |
申请日期 | 2005-06-15 |
专利号 | JP4821961B2 |
专利状态 | 授权 |
申请号 | JP2005175432 |
公开(公告)号 | JP4821961B2 |
IPC 分类号 | H01S5/022 | H01S5/183 |
专利代理人 | 片寄 恭三 | 片山 修平 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46926 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 石井 亮次,中山 秀生,村上 朱実,等. 面発光半導体レーザ装置およびその製造方法. JP4821961B2[P]. 2011-09-16. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP4821961B2.PDF(130KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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