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半导体激光器单片式宏通道热沉
其他题名半导体激光器单片式宏通道热沉
崔卫军
2016-02-03
专利权人北京弘光浩宇科技有限公司
公开日期2016-02-03
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要本实用新型公开了一种半导体激光器单片式宏通道热沉,包括热沉主体,芯片安装区位于热沉主体的一端,水冷区位于靠近芯片安装区的位置,还包括上下贯通热沉主体的销孔,且所述销孔位于远离芯片安装区的一端。与现有技术相比,该半导体激光器单片式宏通道热沉结构更加紧凑合理,且散热效果也不会受到影响。
其他摘要本实用新型公开了一种半导体激光器单片式宏通道热沉,包括热沉主体,芯片安装区位于热沉主体的一端,水冷区位于靠近芯片安装区的位置,还包括上下贯通热沉主体的销孔,且所述销孔位于远离芯片安装区的一端。与现有技术相比,该半导体激光器单片式宏通道热沉结构更加紧凑合理,且散热效果也不会受到影响。
主权项半导体激光器单片式宏通道热沉,包括热沉主体(1),芯片安装区(2)位于热沉主体(1)的一端,水冷区(3)位于靠近芯片安装区(2)的位置,其特征在于,还包括上下贯通热沉主体(1)的销孔(6),且所述销孔(6)位于远离芯片安装区(2)的一端。
申请日期2015-09-28
专利号CN205016831U
专利状态授权
申请号CN201520757400.7
公开(公告)号CN205016831U
IPC 分类号H01S5/024
专利代理人赵慧
代理机构北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46878
专题半导体激光器专利数据库
作者单位北京弘光浩宇科技有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
崔卫军. 半导体激光器单片式宏通道热沉. CN205016831U[P]. 2016-02-03.
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CN205016831U.PDF(390KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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