Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半导体激光器单片式宏通道热沉 | |
其他题名 | 半导体激光器单片式宏通道热沉 |
崔卫军 | |
2016-02-03 | |
专利权人 | 北京弘光浩宇科技有限公司 |
公开日期 | 2016-02-03 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 实用新型 |
摘要 | 本实用新型公开了一种半导体激光器单片式宏通道热沉,包括热沉主体,芯片安装区位于热沉主体的一端,水冷区位于靠近芯片安装区的位置,还包括上下贯通热沉主体的销孔,且所述销孔位于远离芯片安装区的一端。与现有技术相比,该半导体激光器单片式宏通道热沉结构更加紧凑合理,且散热效果也不会受到影响。 |
其他摘要 | 本实用新型公开了一种半导体激光器单片式宏通道热沉,包括热沉主体,芯片安装区位于热沉主体的一端,水冷区位于靠近芯片安装区的位置,还包括上下贯通热沉主体的销孔,且所述销孔位于远离芯片安装区的一端。与现有技术相比,该半导体激光器单片式宏通道热沉结构更加紧凑合理,且散热效果也不会受到影响。 |
主权项 | 半导体激光器单片式宏通道热沉,包括热沉主体(1),芯片安装区(2)位于热沉主体(1)的一端,水冷区(3)位于靠近芯片安装区(2)的位置,其特征在于,还包括上下贯通热沉主体(1)的销孔(6),且所述销孔(6)位于远离芯片安装区(2)的一端。 |
申请日期 | 2015-09-28 |
专利号 | CN205016831U |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201520757400.7 |
公开(公告)号 | CN205016831U |
IPC 分类号 | H01S5/024 |
专利代理人 | 赵慧 |
代理机构 | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46878 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 北京弘光浩宇科技有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔卫军. 半导体激光器单片式宏通道热沉. CN205016831U[P]. 2016-02-03. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN205016831U.PDF(390KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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