一种低功率的绿光激光笔

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	一种低功率的绿光激光笔
其他题名	一种低功率的绿光激光笔
	王继扬; 张怀金; 王正平; 于浩海; 马长勤; 蒋民华; 许祖彦; 王保山; 韩琳; 宗楠; 彭钦军
	2011-11-09
专利权人	山东大学
公开日期	2011-11-09
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及一种低功率的绿光激光笔，包括在一外壳内安装电池、电路板、开关、泵浦源、和在泵浦源输出光的光路前方，依次设置作为激光工作介质的晶体和光学整形系统；其特征在于，所述的晶体为一块自倍频晶体，自倍频晶体沿倍频相位匹配方向加工，该自倍频晶体的两个通光端面镀有利于泵浦光吸收、05-1μm基频光振荡和0.525-0.55μm倍频输出的介质膜，两个通光端面之间的厚度0.1-15mm；半导体激光二极管泵浦光注入自倍频晶体中，泵浦光功率达到一定值后，由自倍频晶体直接输出绿色激光。本发明的绿光激光笔避免了目前使用胶合晶体(如Nd:YVO4+KTP)所带来的成本高、周期长、加工和组装工艺复杂等缺点，具备结构简单、体积小、性能可靠、光束质量好和输出功率低(约1mW)。
其他摘要	本发明涉及一种低功率的绿光激光笔，包括在一外壳内安装电池、电路板、开关、泵浦源、和在泵浦源输出光的光路前方，依次设置作为激光工作介质的晶体和光学整形系统；其特征在于，所述的晶体为一块自倍频晶体，自倍频晶体沿倍频相位匹配方向加工，该自倍频晶体的两个通光端面镀有利于泵浦光吸收、05-1μm基频光振荡和0.525-0.55μm倍频输出的介质膜，两个通光端面之间的厚度0.1-15mm；半导体激光二极管泵浦光注入自倍频晶体中，泵浦光功率达到一定值后，由自倍频晶体直接输出绿色激光。本发明的绿光激光笔避免了目前使用胶合晶体(如Nd:YVO4+KTP)所带来的成本高、周期长、加工和组装工艺复杂等缺点，具备结构简单、体积小、性能可靠、光束质量好和输出功率低(约1mW)。
主权项	一种低功率的绿光激光笔，包括在一外壳内安装电池、电路板、开关、泵浦源、和在所述的泵浦源输出光的光路前方，依次设置作为激光工作介质的晶体和光学整形系统；其特征在于，所述的晶体为一块自倍频晶体，所述的自倍频晶体沿倍频相位匹配方向加工，该自倍频晶体的两个通光端面镀有利于泵浦光吸收、05-1μm基频光振荡和0.525-0.55μm倍频输出的介质膜，两个通光端面之间的厚度0.1-15mm；所述的泵浦源为半导体激光二极管；所述的半导体激光二极管泵浦光注入自倍频晶体中，泵浦光功率达到一定值后，由自倍频晶体直接输出绿色激光；所述的自倍频晶体为掺钕硼酸钙氧钇Nd:YCa4O(BO3)3或者是硼酸钙氧钆Nd:GdCa4O(BO3)3，其中Nd3+掺杂浓度是0.001-0.25at。
申请日期	2010-03-11
专利号	CN101938082B
专利状态	授权
申请号	CN201010130463.1
公开（公告）号	CN101938082B
IPC 分类号	H01S3/16 \| H01S3/06
专利代理人	杨小蓉 \| 高宇
代理机构	北京法思腾知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46740
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王继扬,张怀金,王正平,等. 一种低功率的绿光激光笔. CN101938082B[P]. 2011-11-09.

条目包含的文件
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CN101938082B.PDF（488KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文