Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窄脉宽低占空比激光二极管阵列结构 | |
| 其他题名 | 窄脉宽低占空比激光二极管阵列结构 |
| 王晓薇; 王颖; 杜阳光; 赵凤岐 | |
| 2013-05-22 | |
| 专利权人 | 海特光电有限责任公司 |
| 公开日期 | 2013-05-22 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种窄脉宽低占空比激光二极管阵列结构，涉及光电子技术，包括x个激光二极管管芯；上下叠层有y层；在同一水平面上，x个激光二极管管芯并联构成线列阵作为一层，依据需要上下叠置y层，上层管芯与相邻下层管芯共纵轴设置，上下相邻层的管芯以电极串连方式直接烧结在一起，构成阵列结构。本发明适用于窄脉宽、低占空比的激光器件，同时，制作工艺简单，成本低，具有非常好的产业化前景。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种窄脉宽低占空比激光二极管阵列结构，涉及光电子技术，包括x个激光二极管管芯；上下叠层有y层；在同一水平面上，x个激光二极管管芯并联构成线列阵作为一层，依据需要上下叠置y层，上层管芯与相邻下层管芯共纵轴设置，上下相邻层的管芯以电极串连方式直接烧结在一起，构成阵列结构。本发明适用于窄脉宽、低占空比的激光器件，同时，制作工艺简单，成本低，具有非常好的产业化前景。 |
| 主权项 | 一种窄脉宽低占空比激光二极管阵列结构，其特征在于：至少两个激光二极管管芯上下叠层堆叠，共纵轴设置，将两个管芯以电极串连方式直接固接在一起，构成阵列结构； 其中，所述直接固接在一起，是将上下相邻层的管芯直接烧结在一起。 |
| 申请日期 | 2010-04-14 |
| 专利号 | CN102222857B |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201010147564.X |
| 公开（公告）号 | CN102222857B |
| IPC 分类号 | H01S5/40 |
| 专利代理人 | 周国城 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46688 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 海特光电有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓薇,王颖,杜阳光,等. 窄脉宽低占空比激光二极管阵列结构. CN102222857B[P]. 2013-05-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102222857B.PDF（241KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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