取向生长用基底

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	取向生长用基底
其他题名	取向生长用基底
	罗伯特・德维林斯基; 罗曼・多兰特金斯基; 耶日・加尔金斯基; 莱择克・P・西尔兹普托夫斯基; 神原康雄
	2007-05-16
专利权人	波兰商艾蒙诺公司
公开日期	2007-05-16
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及专门用于制备氮化物半导体层的取向生长用基底。发明包括一种氮化物大块单晶，特征在于该单晶是氮化镓单晶，其在垂直于氮化镓六方晶格c-轴平面的横截面表面积大于100mm2，单晶厚度超过0μm，C-平面位错密度小于106/cm2，而其体积大到足以制造至少一个表面积至少为100mm2的、可进一步加工的非极性A-平面或M-平面片。更一般而言，本发明包括一种氮化物大块单晶，特征在于该单晶是含镓氮化物单晶，其在垂直于氮化镓六方晶格c-轴平面的横截面表面积大于100mm2，单晶厚度超过0μm，其表面位错密度小于106/cm2。本发明的单晶适合用于氮化物半导体层的外延生长。由于晶体质量好，这些单晶适合在用于制造基于氮化物的光电子半导体器件的光电子元件中，特别是用于制造半导体激光器二极管和激光器装置的光电子元件中使用。含镓氮化物a.m大块单晶是在晶种上结晶的。可以使用多种晶种。含镓氮化物大块单晶的结晶方法如下：将含镓原料溶解在超临界溶剂中，在高于溶解过程的温度和/或低于溶解过程的压力下，在晶种的一个表面上结晶出氮化镓。
其他摘要	本发明涉及专门用于制备氮化物半导体层的取向生长用基底。发明包括一种氮化物大块单晶，特征在于该单晶是氮化镓单晶，其在垂直于氮化镓六方晶格c-轴平面的横截面表面积大于100mm2，单晶厚度超过0μm，C-平面位错密度小于106/cm2，而其体积大到足以制造至少一个表面积至少为100mm2的、可进一步加工的非极性A-平面或M-平面片。更一般而言，本发明包括一种氮化物大块单晶，特征在于该单晶是含镓氮化物单晶，其在垂直于氮化镓六方晶格c-轴平面的横截面表面积大于100mm2，单晶厚度超过0μm，其表面位错密度小于106/cm2。本发明的单晶适合用于氮化物半导体层的外延生长。由于晶体质量好，这些单晶适合在用于制造基于氮化物的光电子半导体器件的光电子元件中，特别是用于制造半导体激光器二极管和激光器装置的光电子元件中使用。含镓氮化物a.m大块单晶是在晶种上结晶的。可以使用多种晶种。含镓氮化物大块单晶的结晶方法如下：将含镓原料溶解在超临界溶剂中，在高于溶解过程的温度和/或低于溶解过程的压力下，在晶种的一个表面上结晶出氮化镓。
主权项	一种氮化物大块单晶，特征在于该单晶是氮化镓单晶，其在垂直于氮化镓六方晶格c-轴平面的横截面表面积大于100mm2，单晶厚度超过0μm，c-平面位错密度小于106/cm2，而其体积大到足以制造至少一个表面积至少为100mm2的、可进一步加工的非极性A-平面或M-平面片。
申请日期	2002-10-25
专利号	CN1316070C
专利状态	授权
申请号	CN02821236.3
公开（公告）号	CN1316070C
IPC 分类号	C30B9/00 \| C30B29/40 \| C01B21/06 \| C30B7/00 \| C30B7/10 \| C30B29/38 \| H01L21/02 \| H01S5/028 \| H01S5/323
专利代理人	柳春琦
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46616
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	波兰商艾蒙诺公司
推荐引用方式 GB/T 7714	罗伯特・德维林斯基,罗曼・多兰特金斯基,耶日・加尔金斯基,等. 取向生长用基底. CN1316070C[P]. 2007-05-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1316070C.PDF（2213KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文