窄发散角脊波导半导体激光器

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	窄发散角脊波导半导体激光器
其他题名	窄发散角脊波导半导体激光器
	车相辉; 赵润; 曹晨涛; 陈宏泰; 宁吉丰; 张宇; 位永平; 郝文嘉; 王彦照; 林琳; 杨红伟
	2017-08-29
专利权人	中国电子科技集团公司第十三研究所
公开日期	2017-08-29
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种窄发散角脊波导半导体激光器，包括衬底层、缓冲层、N型限制层、下限制层、下波导层、多量子阱区、上波导层、上限制层、腐蚀阻挡层、P型限制层和电极接触层；在缓冲层和N型限制层之间还设有扩展波导层，扩展波导层为N型InGaAsP材料，扩展波导层的厚度为0.2μm‑0.5μm，下波导层的厚度为0.05μm‑0.15μm，上波导层的厚度为0.05μm‑0.15μm，扩展波导层到多量子阱区的距离为1μm‑2μm；P型限制层和电极接触层设置在腐蚀阻挡层的纵向中部，构成脊波导；采用小球透镜封装。本发明减小了垂直发散角，提高耦合效率，温度特性能满足要求，工艺过程简化，提高芯片成品率，成本低廉。
其他摘要	本发明公开了一种窄发散角脊波导半导体激光器，包括衬底层、缓冲层、N型限制层、下限制层、下波导层、多量子阱区、上波导层、上限制层、腐蚀阻挡层、P型限制层和电极接触层；在缓冲层和N型限制层之间还设有扩展波导层，扩展波导层为N型InGaAsP材料，扩展波导层的厚度为0.2μm‑0.5μm，下波导层的厚度为0.05μm‑0.15μm，上波导层的厚度为0.05μm‑0.15μm，扩展波导层到多量子阱区的距离为1μm‑2μm；P型限制层和电极接触层设置在腐蚀阻挡层的纵向中部，构成脊波导；采用小球透镜封装。本发明减小了垂直发散角，提高耦合效率，温度特性能满足要求，工艺过程简化，提高芯片成品率，成本低廉。
主权项	一种窄发散角脊波导半导体激光器，包括衬底层（1）、在衬底层（1）上由下至上依次设有的缓冲层（2）、N型限制层（4）、下限制层（5）、下波导层（6）、多量子阱区（7）、上波导层（8）、上限制层（9）、腐蚀阻挡层（10）、P型限制层（11）和电极接触层（12）；其特征在于在缓冲层（2）和N型限制层（4）之间还设有扩展波导层（3），所述扩展波导层（3）为N型InGaAsP材料，扩展波导层（3）的厚度为0.2μm-0.5μm，所述下波导层（6）的厚度为0.05μm-0.15μm，上波导层（8）的厚度为0.05μm-0.15μm，扩展波导层（3）到多量子阱区（7）的距离为1μm-2μm；所述P型限制层（11）和电极接触层（12）设置在腐蚀阻挡层（10）的纵向中部，构成脊波导；采用直径为5mm-2.0mm的小球透镜封装。
申请日期	2014-12-15
专利号	CN104466675B
专利状态	授权
申请号	CN201410770523.4
公开（公告）号	CN104466675B
IPC 分类号	H01S5/22
专利代理人	米文智
代理机构	石家庄国为知识产权事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46474
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国电子科技集团公司第十三研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	车相辉,赵润,曹晨涛,等. 窄发散角脊波导半导体激光器. CN104466675B[P]. 2017-08-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104466675B.PDF（726KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文