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数控反馈半导体激光器频率稳定装置
其他题名数控反馈半导体激光器频率稳定装置
赵延霆; 肖连团; 贾锁堂
2016-03-30
专利权人山西大学
公开日期2016-03-30
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明涉及激光频率稳定技术,具体是一种数控反馈半导体激光器频率稳定装置。本发明解决了现有激光频率稳定技术无法将半导体激光器的激光频率稳定在任意频率上的问题。数控反馈半导体激光器频率稳定装置包括He-Ne激光器、半导体激光器、控温器、真空腔体、真空泵、第一光电探测器、第二光电探测器、NI数据采集卡、高压放大器、计算机、以及分压器;其中,He-Ne激光器的出射端与第一光电探测器之间设有由第一全反镜、第二全反镜、共焦法布里-珀罗腔依次串接而成的光路。本发明适用于光通信、光信息读写和激光光谱等领域。
其他摘要本发明涉及激光频率稳定技术,具体是一种数控反馈半导体激光器频率稳定装置。本发明解决了现有激光频率稳定技术无法将半导体激光器的激光频率稳定在任意频率上的问题。数控反馈半导体激光器频率稳定装置包括He-Ne激光器、半导体激光器、控温器、真空腔体、真空泵、第一光电探测器、第二光电探测器、NI数据采集卡、高压放大器、计算机、以及分压器;其中,He-Ne激光器的出射端与第一光电探测器之间设有由第一全反镜、第二全反镜、共焦法布里-珀罗腔依次串接而成的光路。本发明适用于光通信、光信息读写和激光光谱等领域。
主权项一种数控反馈半导体激光器频率稳定装置,其特征在于:包括He-Ne激光器(1)、半导体激光器(2)、控温器(10)、真空腔体(11)、真空泵(12)、第一光电探测器(14)、第二光电探测器(15)、NI数据采集卡(16)、高压放大器(17)、计算机(18)、以及分压器(19);其中,He-Ne激光器(1)的出射端与第一光电探测器(14)之间设有由第一全反镜(3)、第二全反镜(4)、共焦法布里-珀罗腔(7)依次串接而成的光路;半导体激光器(2)的出射端与第二光电探测器(15)之间设有由第三全反镜(5)、第四全反镜(6)、共焦法布里-珀罗腔(7)依次串接而成的光路;共焦法布里-珀罗腔(7)的腔体上分别安装有半导体制冷器(8)、热敏电阻(9)、压电陶瓷(13);共焦法布里-珀罗腔(7)、半导体制冷器(8)、热敏电阻(9)、压电陶瓷(13)均设于真空腔体(11)内;第一光电探测器(14)与NI数据采集卡(16)之间连接有第一BNC线(20);第二光电探测器(15)与NI数据采集卡(16)之间连接有第二BNC线(21);压电陶瓷(13)与高压放大器(17)之间连接有第三BNC线(22);NI数据采集卡(16)与高压放大器(17)之间连接有第四BNC线(23);NI数据采集卡(16)与分压器(19)之间连接有第五BNC线(24);分压器(19)与半导体激光器(2)之间连接有第六BNC线(25);热敏电阻(9)与控温器(10)之间连接有第一导线(26);半导体制冷器(8)与控温器(10)连接有第二导线(27);真空泵(12)与真空腔体(11)之间连通有真空管路(28);NI数据采集卡(16)与计算机(18)连接有数据卡插槽(29);He-Ne激光器(1)采用EL08-633型He-Ne激光器;半导体激光器(2)采用DL100780nm型半导体激光器;第一全反镜(3)、第二全反镜(4)、第三全反镜(5)、第四全反镜(6)均采用镀600-1000nm宽带高反膜的全反镜;共焦法布里-珀罗腔(7)的腔体长度为10cm;控温器(10)采用TED4015型控温器;真空腔体(11)的大小为200*80*80mm;真空泵(12)采用pascal2005型真空泵;第一光电探测器(14)和第二光电探测器(15)均采用HamamatsuS3884型光电探测器;NI数据采集卡(16)采用PCI-6014型数据采集卡;高压放大器(17)采用MDT694A型高压放大器。
申请日期2013-02-21
专利号CN103187685B
专利状态授权
申请号CN201310055207
公开(公告)号CN103187685B
IPC 分类号H01S5/0687
专利代理人朱源
代理机构太原科卫专利事务所(普通合伙)
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46459
专题半导体激光器专利数据库
作者单位山西大学
推荐引用方式
GB/T 7714
赵延霆,肖连团,贾锁堂. 数控反馈半导体激光器频率稳定装置. CN103187685B[P]. 2016-03-30.
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