增强外腔反馈光谱合束半导体激光器反馈的装置

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	增强外腔反馈光谱合束半导体激光器反馈的装置
其他题名	增强外腔反馈光谱合束半导体激光器反馈的装置
	王峙皓; 甘露; 张淑珍
	2013-03-27
专利权人	长春德信光电技术有限公司
公开日期	2013-03-27
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型涉及一种增强外腔反馈光谱合束半导体激光器反馈的装置，属于半导体激光技术领域。该装置在外腔反馈光谱合束半导体激光器的非光谱合束方向，采用准直镜一和成像镜与半导体激光器和外腔反馈镜组成4f系统，将半导体激光器上的发光点直接成像并垂直入射到外腔反馈镜上，形成有效反馈。该装置降低外腔反馈光谱合束半导体激光器对半导体激光器位置精度的要求，简化其制备工艺和装调工艺，提高外腔反馈光谱合束半导体激光器的输出功率和可靠性。
其他摘要	本实用新型涉及一种增强外腔反馈光谱合束半导体激光器反馈的装置，属于半导体激光技术领域。该装置在外腔反馈光谱合束半导体激光器的非光谱合束方向，采用准直镜一和成像镜与半导体激光器和外腔反馈镜组成4f系统，将半导体激光器上的发光点直接成像并垂直入射到外腔反馈镜上，形成有效反馈。该装置降低外腔反馈光谱合束半导体激光器对半导体激光器位置精度的要求，简化其制备工艺和装调工艺，提高外腔反馈光谱合束半导体激光器的输出功率和可靠性。
主权项	一种增强外腔反馈光谱合束半导体激光器反馈的装置，其特征在于包括：半导体激光器(1)、准直镜一（2）、成像镜（3）、外腔反馈镜（4）、准直镜二（5）、场镜(6)、光栅(7)，其半导体激光器（1）的后腔面与外腔反馈镜（4）组成谐振腔；所述的半导体激光器（1）位于准直镜一（2）左侧f1处，成像镜（3）位于准直镜一（2）右侧f1+f2处，反馈镜（4）位于成像镜（3）右侧f2处；该半导体激光器（1）由多个发光点组成，其前腔面镀反射率99%；半导体激光器（1）为同一材料制备，也可为不同材料制备。
申请日期	2012-09-27
专利号	CN202840236U
专利状态	授权
申请号	CN201220501413.4
公开（公告）号	CN202840236U
IPC 分类号	H01S5/14 \| H01S5/40
专利代理人	张绍严
代理机构	长春市吉利专利事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46443
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春德信光电技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	王峙皓,甘露,张淑珍. 增强外腔反馈光谱合束半导体激光器反馈的装置. CN202840236U[P]. 2013-03-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN202840236U.PDF（714KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文