基于环形谐振腔的多波长半导体激光器

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	基于环形谐振腔的多波长半导体激光器
其他题名	基于环形谐振腔的多波长半导体激光器
	齐利芳; 李献杰; 赵永林; 蔡道民; 尹顺政; 过帆
	2014-04-23
专利权人	中国电子科技集团公司第十三研究所
公开日期	2014-04-23
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种基于环形谐振腔的多波长半导体激光器，属半导体激光器领域。本发明自下而上包括衬底层、缓冲层、下包层、激活层、上包层和欧姆接触层；所述激光器上设有至少由欧姆接触层与部分上包层或全部上包层共同形成的在正向偏压下可产生激光光束的环形脊波导以及在正向偏压下可放大激光光束光功率的耦合波导；环形脊波导与激活层组成环形谐振腔；环形脊波导为一个以上，各环形脊波导的周长互不相等；耦合波导与环形脊波导相邻设置。本发明结构简单紧凑，容易与其他器件集成；简化了工艺，降低了成本；避免了多个单纵模激光器有源层的叠加，减小了材料生长难度；激光光束的输出路径灵活可调且容易实现激光器的大规模集成。
其他摘要	本发明公开了一种基于环形谐振腔的多波长半导体激光器，属半导体激光器领域。本发明自下而上包括衬底层、缓冲层、下包层、激活层、上包层和欧姆接触层；所述激光器上设有至少由欧姆接触层与部分上包层或全部上包层共同形成的在正向偏压下可产生激光光束的环形脊波导以及在正向偏压下可放大激光光束光功率的耦合波导；环形脊波导与激活层组成环形谐振腔；环形脊波导为一个以上，各环形脊波导的周长互不相等；耦合波导与环形脊波导相邻设置。本发明结构简单紧凑，容易与其他器件集成；简化了工艺，降低了成本；避免了多个单纵模激光器有源层的叠加，减小了材料生长难度；激光光束的输出路径灵活可调且容易实现激光器的大规模集成。
主权项	一种基于环形谐振腔的多波长半导体激光器，其特征在于自下而上依次包括衬底层（7）、缓冲层（6）、下包层（5）、激活层（4）、上包层（3）和欧姆接触层（2）；所述激光器上设有至少由欧姆接触层（2）与部分上包层（3）或全部上包层（3）共同形成的在正向偏压下可产生激光光束的环形脊波导（10）以及在正向偏压下可放大激光光束光功率的耦合波导（9）；所述环形脊波导（10）与激活层（4）组成环形谐振腔；所述环形脊波导（10）为一个以上，各环形脊波导（10）的周长互不相等；所述耦合波导（9）与环形脊波导（10）相邻设置。
申请日期	2012-01-05
专利号	CN102570310B
专利状态	授权
申请号	CN201210001596.8
公开（公告）号	CN102570310B
IPC 分类号	H01S5/40 \| H01S5/22 \| H01S5/06
专利代理人	米文智
代理机构	石家庄国为知识产权事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46413
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国电子科技集团公司第十三研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	齐利芳,李献杰,赵永林,等. 基于环形谐振腔的多波长半导体激光器. CN102570310B[P]. 2014-04-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102570310B.PDF（1013KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文