Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体及其制备方法与应用 | |
| 其他题名 | 掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体及其制备方法与应用 |
| 赵显; 刘彦庆; 于法鹏; 陈菲菲; 侯帅; 王正平; 周莹; 程秀凤 | |
| 2017-01-18 | |
| 专利权人 | 山东大学 |
| 公开日期 | 2017-01-18 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明涉及一种掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体，包括由化学式A3BGa3Si2O14系列晶体，其中，A为Ca或Sr，所述B为Nb或Ta；根据上述记载，掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体包括：Nd:Ca3TaGa3Si2O14、Nd:Sr3TaGa3Si2O14、Nd:Sr3NbGa3Si2O14和Nd:Ca3NbGa3Si2O14，该四种晶体均能实现自倍频。本发明还提供一种上述掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体的制备方法。本发明还提供一种上述掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体的应用，采用商用的中心波长为808nm的半导体激光器泵浦(LD),利用掺钕A3BGa3Si2O14(A＝Ca,Sr；B＝Nb,Ta)系列晶体其增益介质及非线性光学的性能，获得输出波长533nm的绿光自倍频激光，该激光器具有转化效率高、结构紧凑、小型化、可靠性高、寿命长等优点。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体，包括由化学式A3BGa3Si2O14系列晶体，其中，A为Ca或Sr，所述B为Nb或Ta；根据上述记载，掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体包括：Nd:Ca3TaGa3Si2O14、Nd:Sr3TaGa3Si2O14、Nd:Sr3NbGa3Si2O14和Nd:Ca3NbGa3Si2O14，该四种晶体均能实现自倍频。本发明还提供一种上述掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体的制备方法。本发明还提供一种上述掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体的应用，采用商用的中心波长为808nm的半导体激光器泵浦(LD),利用掺钕A3BGa3Si2O14(A＝Ca,Sr；B＝Nb,Ta)系列晶体其增益介质及非线性光学的性能，获得输出波长533nm的绿光自倍频激光，该激光器具有转化效率高、结构紧凑、小型化、可靠性高、寿命长等优点。 |
| 主权项 | 一种掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体，其特征在于，其中晶体化学式为： Nd:A3BGa3Si2O14，其中，所述A为Ca或Sr，所述B为Nb或Ta；所述掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体中，钕离子的掺杂浓度为0.3～10at％。 |
| 申请日期 | 2014-06-11 |
| 专利号 | CN104018225B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201410258793.7 |
| 公开（公告）号 | CN104018225B |
| IPC 分类号 | C30B29/22 | H01S3/16 |
| 专利代理人 | 吕利敏 |
| 代理机构 | 济南金迪知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46383 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵显,刘彦庆,于法鹏,等. 掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体及其制备方法与应用. CN104018225B[P]. 2017-01-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN104018225B.PDF（166KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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