锆铥双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法

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	锆铥双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法
其他题名	锆铥双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法
	代丽; 谭超; 段小娟; 李大勇; 代平
	2016-08-17
专利权人	哈尔滨理工大学
公开日期	2016-08-17
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	锆铥双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及锆铥双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。它要解决现有铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料和铌酸锂晶体抗光损伤能力低的问题。产品：由Nb2O5、LiCO3、ZrO2和Tm2O3制成。方法：一、混合四种原料；二、采用提拉法生长晶体，得到多畴晶体；三、极化，得到极化后的晶体；四、切割、抛光，得到Zr:Tm:LiNbO3晶体。本发明制备的Zr:Tm:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生，抗光损伤性能较高，能够做为激光晶体材料；本发明制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快；在制备紧凑型、激光二极管泵浦、全固态可调谐激光器应用前景广阔。
其他摘要	锆铥双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及锆铥双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。它要解决现有铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料和铌酸锂晶体抗光损伤能力低的问题。产品：由Nb2O5、LiCO3、ZrO2和Tm2O3制成。方法：一、混合四种原料；二、采用提拉法生长晶体，得到多畴晶体；三、极化，得到极化后的晶体；四、切割、抛光，得到Zr:Tm:LiNbO3晶体。本发明制备的Zr:Tm:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生，抗光损伤性能较高，能够做为激光晶体材料；本发明制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快；在制备紧凑型、激光二极管泵浦、全固态可调谐激光器应用前景广阔。
主权项	锆铥双掺杂铌酸锂晶体，其特征在于它由Nb2O5、LiCO3、ZrO2和Tm2O3制成；其中所述LiCO3中的Li与Nb2O5中的Nb的摩尔比为0.946:1，Tm2O3的掺杂摩尔量占四种原料总摩尔量的0.5％，ZrO2的掺杂摩尔量占四种原料总摩尔量的6％。
申请日期	2013-12-31
专利号	CN103696011B
专利状态	失效
申请号	CN201310750417.5
公开（公告）号	CN103696011B
IPC 分类号	C30B29/30 \| C30B15/00
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46335
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	哈尔滨理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	代丽,谭超,段小娟,等. 锆铥双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法. CN103696011B[P]. 2016-08-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103696011B.PDF（146KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文