Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
ファイバグレーティング半導体レーザ | |
其他题名 | ファイバグレーティング半導体レーザ |
加藤 隆志; 佐々木 吾朗; 塩崎 学 | |
1999-06-11 | |
专利权人 | 住友電気工業株式会社 |
公开日期 | 1999-08-23 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 【課題】 高速度の変調に対して発振波長の安定化が可能なファイバグレーティング半導体レーザを提供する。 【解決手段】 キャリア注入によって光の発生と光の増幅とが行われる光導波路42、並びにこの光導波路42の対向する端面に設けられた光出射面44および光反射面46、を有する半導体光増幅器18と、光出射面44から隔てて配置され、コア部の所定部位にこのコア部の長手方向に沿って設けられた回折格子20を有し、この回折格子20と光反射面46とにより所定の波長において光共振を可能になるように光出射面44と光学的に結合する光ファイバグレーティング22と、を備え、光ファイバグレーティング22は、所定の波長において60%より高い反射率を有する。 |
其他摘要 | 要解决的问题:使激光射线在振荡波长下稳定,以实现高速调制。解决方案:光纤光栅半导体激光器配备有半导体光学放大器18,其具有光波导42,其中光通过注入载流子产生和放大,光投射平面44和光反射平面46均设置在边缘中光波导42的面和与光投射平面44分开布置的光纤光栅22具有衍射光栅20,该衍射光栅20在芯的较长方向上的预定位置处设置,并且与光学耦合。光投射平面44用于与衍射光栅20和光反射平面46建立规定波长的光学共振。光纤光栅22对于规定波长的光的反射率高于60%。 |
主权项 | - |
申请日期 | 1998-08-27 |
专利号 | JP2937196B1 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1998241665 |
公开(公告)号 | JP2937196B1 |
IPC 分类号 | G02B6/42 | H01S5/10 | H01S5/14 | H01S5/00 | H01S3/18 | H01S3/18646 |
专利代理人 | 長谷川 芳樹 (外4名) |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45884 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 隆志,佐々木 吾朗,塩崎 学. ファイバグレーティング半導体レーザ. JP2937196B1[P]. 1999-06-11. |
条目包含的文件 | 条目无相关文件。 |
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