多ビーム半導体量子井戸レーザ

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	多ビーム半導体量子井戸レーザ
其他题名	多ビーム半導体量子井戸レーザ
	デイビッドダブリュー.トリート; デイビッドピー.バワー; トーマスエル.パオリ
	2004-03-26
专利权人	ゼロックスコーポレイション
公开日期	2004-06-14
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【目的】改良された多ビーム量子井戸ダイオードレーザを提供すること。【構成】層c乃至層mは、MOCVD法によって基板bを横切るように均一にエピタキシャル成長する。層k,l,及びmを介してストップ層jをエッチングする前に、ペアのメサが4窒化3ケイ素等によってペアのストライプのマスキングによって形成され、メサの上面に残るマスクによってエッチングされたウェハーは、MOCVD反応器内に再挿入され、層nはメサの上面以外のどこででも選択的に再成長する。その後、メサの上部のストライプマスクは除去され、かつ成長しすぎたペアのメサ43、44の間に配置されたストライプからなるリフトオフマスクが付着され、次いで、金属製層oがウェハー全体に付着された後にリフトオフマスクはエッチング除去され、これにより各ペアの過度に成長したメサの間で開口した非金属製領域によって分離されたアドレス可能な個々の接触面を残すことができる。
其他摘要	目的：提供一种改进的多光束量子阱二极管激光器。构成：层（c）和层（m）外延生长均匀，使得它们通过MOCVD方法与衬底（b）交叉。在通过层（k），（l）和（m）蚀刻停止层（j）之前，通过4氮化3硅掩蔽一对条形成一对台面。将通过保留在台面的上表面上的掩模蚀刻的晶片再次插入MOCVD反应器中，除了台面的上表面之外，任何地方都选择性地生长层（n）。去除台面上部的条形掩模，并且粘附由布置在过度生长的一对台面43和44之间的条纹构成的剥离掩模。金属层（o）粘附到整个晶片，并且剥离掩模被蚀刻去除。然后，可以留下由在一对台面之间开口的过度生长和可寻址的非金属区域分离的单个接触面。
主权项	-
申请日期	1993-06-30
专利号	JP3536987B2
专利状态	失效
申请号	JP1993162990
公开（公告）号	JP3536987B2
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/062 \| H01S \| H01S5/06 \| H01S5/343 \| H01S5/40 \| H01S5/10 \| H01S5/065 \| H01S5/34 \| H01S5/00
专利代理人	中島淳 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45745
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ゼロックスコーポレイション
推荐引用方式 GB/T 7714	デイビッドダブリュー.トリート,デイビッドピー.バワー,トーマスエル.パオリ. 多ビーム半導体量子井戸レーザ. JP3536987B2[P]. 2004-03-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3536987B2.PDF（757KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文