一种改善宽条形大功率半导体激光器光束质量的方法

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	一种改善宽条形大功率半导体激光器光束质量的方法
其他题名	一种改善宽条形大功率半导体激光器光束质量的方法
	薄报学; 高欣; 乔忠良; 张晶; 李辉; 李特; 曲轶
	2017-08-11
专利权人	长春理工大学
公开日期	2017-08-11
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种改善宽条形大功率半导体激光器光束质量的方法，属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效改善宽条形大功率半导体激光器的光束质量，使宽条形大功率半导体激光器的应用受到很大限制。本发明采用在宽条形波导区施加凸形强度分布的张应力的方法，减弱由于波导区凸形温度分布引起的凸形折射率分布，抑制激光器波导的热透镜效应，从而改善宽条形大功率半导体激光器的光束质量。该方法可应用于各类宽条形大功率半导体激光器的制造。
其他摘要	一种改善宽条形大功率半导体激光器光束质量的方法，属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效改善宽条形大功率半导体激光器的光束质量，使宽条形大功率半导体激光器的应用受到很大限制。本发明采用在宽条形波导区施加凸形强度分布的张应力的方法，减弱由于波导区凸形温度分布引起的凸形折射率分布，抑制激光器波导的热透镜效应，从而改善宽条形大功率半导体激光器的光束质量。该方法可应用于各类宽条形大功率半导体激光器的制造。
主权项	一种改善宽条形大功率半导体激光器光束质量的方法，其特征在于，通过给宽条形大功率半导体激光器芯片的发光波导区(1)施加凸形强度分布的张应力，减弱由于波导区凸形温度分布引起的凸形折射率分布，抑制激光器波导的热透镜效应，从而改善宽条形大功率半导体激光器的光束质量。
申请日期	2014-11-20
专利号	CN104332823B
专利状态	授权
申请号	CN201410674400.0
公开（公告）号	CN104332823B
IPC 分类号	H01S5/20
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45479
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	薄报学,高欣,乔忠良,等. 一种改善宽条形大功率半导体激光器光束质量的方法. CN104332823B[P]. 2017-08-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104332823B.PDF（293KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文