半导体激光器的调节方法

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	半导体激光器的调节方法
其他题名	半导体激光器的调节方法
	田中宏和; 石川务; 町田豊稔
	2012-08-22
专利权人	住友电工光电子器件创新株式会社
公开日期	2012-08-22
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种半导体激光器的调节方法，该半导体激光器包括多个分别具有周期性波长特性的波长选择区域，其特征在于，该方法包括以下步骤：对所述波长选择区域进行折射率控制；确认步骤，确认与未进行所述折射率控制的状态下由折射率的规定值实现的波长特性相比，通过所述折射率控制实现的所述波长选择区域各自的波长特性是否改变了一个周期以上；以及以所述一个周期为单位使所述确认步骤中确认波长特性发生了改变的波长选择区域的折射率向着所述规定值侧偏移。
其他摘要	一种半导体激光器的调节方法，该半导体激光器包括多个分别具有周期性波长特性的波长选择区域，其特征在于，该方法包括以下步骤：对所述波长选择区域进行折射率控制；确认步骤，确认与未进行所述折射率控制的状态下由折射率的规定值实现的波长特性相比，通过所述折射率控制实现的所述波长选择区域各自的波长特性是否改变了一个周期以上；以及以所述一个周期为单位使所述确认步骤中确认波长特性发生了改变的波长选择区域的折射率向着所述规定值侧偏移。
主权项	一种半导体激光器的调节方法，该半导体激光器包括分别具有周期性波长特性的多个波长选择区域，其特征在于，该方法包括以下步骤：对所述波长选择区域进行折射率控制；确认步骤，确认与未进行所述折射率控制的状态下由折射率的规定值实现的波长特性相比，通过所述折射率控制实现的所述波长选择区域各自的波长特性是否改变了一个周期以上；以及以所述一个周期为单位使所述确认步骤中确认波长特性发生了改变的波长选择区域的折射率向着所述规定值侧偏移。
申请日期	2009-11-26
专利号	CN102227854B
专利状态	授权
申请号	CN200980147459.1
公开（公告）号	CN102227854B
IPC 分类号	H01S5/0687 \| H01S5/12 \| H01S5/125
专利代理人	李辉 \| 赵芳
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45443
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	住友电工光电子器件创新株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	田中宏和,石川务,町田豊稔. 半导体激光器的调节方法. CN102227854B[P]. 2012-08-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102227854B.PDF（682KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文