边发射半导体激光器芯片

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	边发射半导体激光器芯片
其他题名	边发射半导体激光器芯片
	克里斯蒂安·劳尔; 哈拉尔德·科尼格; 沃尔夫冈·赖尔; 尤伟·斯特劳斯
	2013-09-18
专利权人	奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
公开日期	2013-09-18
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种边发射半导体激光器芯片(1)具有：半导体本体(100)，其包括至少一个有源区(14)，在所述有源区(14)中在半导体激光器芯片(1)工作时产生电磁辐射(10)；至少一个接触带(2)，其被设置在半导体本体(100)的上侧上的盖面(1a)上；以及至少两个限制结构(4)，用于限制接触带(2)与有源区(14)之间的电流扩展，其中限制结构(4)被设置在接触带(2)的两侧。
其他摘要	一种边发射半导体激光器芯片(1)具有：半导体本体(100)，其包括至少一个有源区(14)，在所述有源区(14)中在半导体激光器芯片(1)工作时产生电磁辐射(10)；至少一个接触带(2)，其被设置在半导体本体(100)的上侧上的盖面(1a)上；以及至少两个限制结构(4)，用于限制接触带(2)与有源区(14)之间的电流扩展，其中限制结构(4)被设置在接触带(2)的两侧。
主权项	一种边发射半导体激光器芯片（1），其具有半导体本体（100），其包括至少一个有源区（14），在所述有源区中在半导体激光器芯片（1）工作时产生电磁辐射（10），至少一个接触带（2），其被设置在所述半导体本体（100）的上侧上的盖面（1a）上，以及至少两个限制结构（4），用于限制在所述接触带（2）与所述有源区（14）之间的电流扩展，其中所述限制结构（4）被设置在所述接触带（2）的两侧，其中限制结构（4）以至少为10％并且至多为90％的填充因数设置在接触带（2）的两侧。
申请日期	2009-10-21
专利号	CN102224647B
专利状态	授权
申请号	CN200980146859.0
公开（公告）号	CN102224647B
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/042 \| H01S5/10
专利代理人	许伟群 \| 郭放
代理机构	北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45356
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
推荐引用方式 GB/T 7714	克里斯蒂安·劳尔,哈拉尔德·科尼格,沃尔夫冈·赖尔,等. 边发射半导体激光器芯片. CN102224647B[P]. 2013-09-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102224647B.PDF（1553KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文