一种热沉绝缘的传导冷却型高功率半导体激光器

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	一种热沉绝缘的传导冷却型高功率半导体激光器
其他题名	一种热沉绝缘的传导冷却型高功率半导体激光器
	刘兴胜; 李小宁; 刘亚龙; 王警卫; 张路
	2015-04-01
专利权人	西安炬光科技股份有限公司
公开日期	2015-04-01
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型提出了一种热沉绝缘的传导冷却型高功率半导体激光器，解决了传统C-mount型封装结构的半导体激光器热沉带电导致的安全问题，该技术方案通过在激光芯片和热沉之间增加绝缘结构设计，实现了热沉不带电工作，且绝缘材料选用和激光芯片热膨胀系数匹配的材料，提高了半导体激光器器件的可靠性。
其他摘要	本实用新型提出了一种热沉绝缘的传导冷却型高功率半导体激光器，解决了传统C-mount型封装结构的半导体激光器热沉带电导致的安全问题，该技术方案通过在激光芯片和热沉之间增加绝缘结构设计，实现了热沉不带电工作，且绝缘材料选用和激光芯片热膨胀系数匹配的材料，提高了半导体激光器器件的可靠性。
主权项	一种热沉绝缘的传导冷却型高功率半导体激光器，包括热沉、激光芯片、正极连接片、负极连接片、绝缘板A、绝缘板B、绝缘垫层，其特征在于：绝缘板A、绝缘板B和绝缘垫层分别设置在热沉的一个侧面上，绝缘板A、绝缘板B分别设置在热沉侧面的两端位置，所述的绝缘垫层设置在绝缘板A和绝缘板B相对应的中间位置；绝缘板A、绝缘板B和绝缘垫层三者本体为绝缘材料；所述的正极连接片设置在绝缘板A上，所述的负极连接片设置在绝缘板B上；所述的绝缘垫层表面镀有导电金属层；所述的绝缘垫层中与热沉接触面的相对表面上设置芯片设置区和电极连接区，所述的电极连接区与芯片设置区之间绝缘未设置导电金属层，激光芯片设置在芯片设置区，芯片设置区通过金属导线与正极连接片进行连接，电极连接区的一端通过金属导线与激光芯片负极进行连接，另一端通过金属导线与负极连接片进行连接。
申请日期	2014-12-05
专利号	CN204243452U
专利状态	授权
申请号	CN201420754417.2
公开（公告）号	CN204243452U
IPC 分类号	H01S5/024 \| H01S5/02
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45308
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安炬光科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	刘兴胜,李小宁,刘亚龙,等. 一种热沉绝缘的传导冷却型高功率半导体激光器. CN204243452U[P]. 2015-04-01.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN204243452U.PDF（453KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文