選択的酸化法による表面光レーザー(VCSEL)のアパーチャ製造装置及び方法

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	選択的酸化法による表面光レーザー(VCSEL)のアパーチャ製造装置及び方法
其他题名	選択的酸化法による表面光レーザー(VCSEL)のアパーチャ製造装置及び方法
	宋永真; 南昇浩
	2005-07-15
专利权人	三星電子株式会社
公开日期	2005-09-21
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	(修正有) 【課題】光スペクトル分析器を使って共振波長の変化を観察し、これによりアパーチャ製造工程をモニターリングできるようにした選択的酸化法による表面光レーザーのアパーチャ製造装置及び方法を提供する。【解決手段】アパーチャ製造装置は、予備酸化層をもつ表面光レーザー用ウエハー10が置かれるステージ21と、ファーネスの外部に設けられ、光源21と、表面光レーザー用ウエハーから反射され光を受光する光スペクトル分析器41とを含んで、予備酸化層に形成されるアパーチャ径変化による共振ピーク波長の光強度変化からアパーチャ径を決定できるようにした。
其他摘要	要解决的问题：通过选择性氧化方法提供孔径制造设备和表面发射激光器的方法，其中通过使用光谱分析仪观察共振波长的变化，并且可以监测孔径制造工艺。解决方案：该孔径制造设备设置有载物台21，其上安装有用于具有初步氧化物层的表面发射激光器的晶片10，光源31和光谱分析器41，其安装在炉外并接收从晶片反射的光，并且可以根据在初始氧化物层中形成的孔的直径变化引起的谐振峰值波长的光强度变化来确定孔径。
主权项	-
申请日期	2000-12-12
专利号	JP3698251B2
专利状态	失效
申请号	JP2000377774
公开（公告）号	JP3698251B2
IPC 分类号	H01S5/02 \| H01S5/183 \| H01S5/00
专利代理人	伊東忠彦
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45281
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三星電子株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	宋永真,南昇浩. 選択的酸化法による表面光レーザー(VCSEL)のアパーチャ製造装置及び方法. JP3698251B2[P]. 2005-07-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3698251B2.PDF（68KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文