改变半导体激光器堆栈慢轴方向光场分布的方法

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	改变半导体激光器堆栈慢轴方向光场分布的方法
其他题名	改变半导体激光器堆栈慢轴方向光场分布的方法
	王智勇; 贾冠男; 尧舜; 潘飞; 高祥宇; 李峙
	2016-09-07
专利权人	北京工业大学
公开日期	2016-09-07
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	改变半导体激光器堆栈慢轴方向光场分布的方法，主要包括：选取具有不同填充因子或与之对应的发光单元个数的多个半导体激光阵列器件；在多个半导体激光阵列器件中，选出其中数个其慢轴方向光场分布不同的半导体激光阵列器件；将该数个半导体激光阵列器件按照一定的次序堆叠，使堆栈慢轴方向光场按特定要求分布。该方法直接从半导体激光器的光源入手，实现慢轴方向光场分布的改变，不仅可以使半导体激光阵列器件型激光器获得特定要求的慢轴方向光场分布，提高了激光熔覆的效率和熔覆层的硬度，而且还避免了其结构的复杂化，使其得到更加广泛的引用。
其他摘要	改变半导体激光器堆栈慢轴方向光场分布的方法，主要包括：选取具有不同填充因子或与之对应的发光单元个数的多个半导体激光阵列器件；在多个半导体激光阵列器件中，选出其中数个其慢轴方向光场分布不同的半导体激光阵列器件；将该数个半导体激光阵列器件按照一定的次序堆叠，使堆栈慢轴方向光场按特定要求分布。该方法直接从半导体激光器的光源入手，实现慢轴方向光场分布的改变，不仅可以使半导体激光阵列器件型激光器获得特定要求的慢轴方向光场分布，提高了激光熔覆的效率和熔覆层的硬度，而且还避免了其结构的复杂化，使其得到更加广泛的引用。
主权项	改变半导体激光器堆栈慢轴方向光场分布的方法，该方法包括：选取具有不同填充因子或与填充因子对应的发光单元个数的多个半导体激光阵列器件；在多个半导体激光阵列器件中，选出其中数个其慢轴方向光场分布不同的半导体激光阵列器件；将该数个半导体激光阵列器件按照竖向依次堆叠，使堆栈慢轴方向光场按特定要求分布，所述特定要求为堆栈慢轴方向光场分布叠加成平顶化的光场分布。
申请日期	2014-03-06
专利号	CN103855603B
专利状态	授权
申请号	CN201410080703.X
公开（公告）号	CN103855603B
IPC 分类号	H01S5/06
专利代理人	昝美琪
代理机构	北京汇信合知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45275
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王智勇,贾冠男,尧舜,等. 改变半导体激光器堆栈慢轴方向光场分布的方法. CN103855603B[P]. 2016-09-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103855603B.PDF（83KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文