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大功率激光用光闸装置
其他题名大功率激光用光闸装置
张志研; 王宝华; 侯玮; 林学春; 李晋闽
2013-01-23
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-01-23
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要一种大功率激光用光闸装置,包括:一光闸组件,该光闸组件包括:一底座,该底座为一矩形板体;一双向摆角电磁铁,位于底座上,并与底座固定,该双向摆角电磁铁的中心有一转轴;一左限位块和一右限位块,位于双向摆角电磁铁中心的转轴的两侧,并固定于底座上,该左限位块和右限位块的一端为相对的斜面;一摆臂,该摆臂的一端与双向摆角电磁铁中心的转轴固定,该摆臂的另一端固定有45度全反镜和银镜;一光纤耦合头,该光纤耦合头位于光闸组件的输出光路上;一吸收体组件,该吸收体组件位于光闸组件的一侧,接收光闸组件的反射光;一密封防护罩,该密封防护罩罩扣于光闸组件;一半导体激光器,该半导体激光器位于光闸组件的一侧,与吸收体组件的方向相反。
其他摘要一种大功率激光用光闸装置,包括:一光闸组件,该光闸组件包括:一底座,该底座为一矩形板体;一双向摆角电磁铁,位于底座上,并与底座固定,该双向摆角电磁铁的中心有一转轴;一左限位块和一右限位块,位于双向摆角电磁铁中心的转轴的两侧,并固定于底座上,该左限位块和右限位块的一端为相对的斜面;一摆臂,该摆臂的一端与双向摆角电磁铁中心的转轴固定,该摆臂的另一端固定有45度全反镜和银镜;一光纤耦合头,该光纤耦合头位于光闸组件的输出光路上;一吸收体组件,该吸收体组件位于光闸组件的一侧,接收光闸组件的反射光;一密封防护罩,该密封防护罩罩扣于光闸组件;一半导体激光器,该半导体激光器位于光闸组件的一侧,与吸收体组件的方向相反。
主权项一种大功率激光用光闸装置,包括: 一光闸组件,该光闸组件包括: 一底座,该底座为一矩形板体; 一双向摆角电磁铁,位于底座上,并与底座固定,该双向摆角电磁铁的中心有一转轴; 一左限位块和一右限位块,位于双向摆角电磁铁中心的转轴的两侧,并固定于底座上,该左限位块和右限位块的一端为相对的斜面; 一摆臂,该摆臂的一端与双向摆角电磁铁中心的转轴固定,该摆臂的另一端固定有45度全反镜和银镜; 一左行程开关和一右行程开关,分别位于左限位块和右限位块的斜面上; 一光纤耦合头,该光纤耦合头位于光闸组件的输出光路上; 一吸收体组件,该吸收体组件位于光闸组件的一侧,接收光闸组件的反射光; 一密封防护罩,该密封防护罩罩扣于光闸组件; 一半导体激光器,该半导体激光器位于光闸组件的一侧,与吸收体组件的方向相反。
申请日期2011-11-21
专利号CN102510006B
专利状态授权
申请号CN201110370997.6
公开(公告)号CN102510006B
IPC 分类号H01S5/022 | H01S5/06
专利代理人汤保平
代理机构中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45177
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
张志研,王宝华,侯玮,等. 大功率激光用光闸装置. CN102510006B[P]. 2013-01-23.
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