用于半导体激光二极管阵列泵浦的整形装置

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	用于半导体激光二极管阵列泵浦的整形装置
其他题名	用于半导体激光二极管阵列泵浦的整形装置
	樊仲维; 赵天卓; 崔建丰; 邱基斯; 麻云凤; 冯承勇
	2011-05-04
专利权人	北京国科世纪激光技术有限公司
公开日期	2011-05-04
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及一种用于半导体激光二极管阵列泵浦的整形装置，由至少一个激光二极管阵列或者单个激光二极管bar条、光纤以及反射结构件组成；该反射结构件为一块横截面为圆形或多边形的多面棱体，其上顶面比下底面小且呈曲面，在下底面的中心有光透射区；激光二极管阵列或单个激光二极管bar条设置在反射结构件的一侧，激光二极管bar条或每个激光二极管阵列的发光面朝向反射结构件的一侧面，每个激光二极管阵列或单个激光二极管bar条的发光面与反射结构件的侧面平行设置；光纤数目与激光二极管bar条数相同，且光纤轴线与所对应的激光二极管bar条发光线相互平行设置。该装置具有超过90％的泵浦耦合效率，并能够很好的匀化光场，结构紧凑、坚固，成本低廉。
其他摘要	本发明涉及一种用于半导体激光二极管阵列泵浦的整形装置，由至少一个激光二极管阵列或者单个激光二极管bar条、光纤以及反射结构件组成；该反射结构件为一块横截面为圆形或多边形的多面棱体，其上顶面比下底面小且呈曲面，在下底面的中心有光透射区；激光二极管阵列或单个激光二极管bar条设置在反射结构件的一侧，激光二极管bar条或每个激光二极管阵列的发光面朝向反射结构件的一侧面，每个激光二极管阵列或单个激光二极管bar条的发光面与反射结构件的侧面平行设置；光纤数目与激光二极管bar条数相同，且光纤轴线与所对应的激光二极管bar条发光线相互平行设置。该装置具有超过90％的泵浦耦合效率，并能够很好的匀化光场，结构紧凑、坚固，成本低廉。
主权项	一种用于半导体激光二极管阵列泵浦的整形装置，包括：至少一个由激光二极管bar条、光纤和附属件构成的激光二极管阵列单元；其特征在于，还包括一个反射结构件，所述的反射结构件为一块横截面为圆形或正多边形的柱体，或一块横截面为多边形的多面棱体，所述的反射结构件的上顶面和下底面均呈曲面，其上顶面比下底面小，并且在该反射结构件下底面的中心有一个光透射区，该光透射区的四周表面上镀有反射膜作为反射结构件的环带高反射面；在该反射结构件上顶面镀有反射膜作为反射面，进入反射结构件的光在经过环带高反射面反射后，照射到反射面上，然后反射面又将光从环带高反射面上的光透射区反射出去，射出反射结构件进入工作物质，实现反射激光二极管阵列单元发出的泵浦光的功能；所述的激光二极管阵列单元由2个以上激光二极管bar条与附属件组成，其中所述的附属件为一方形金属块，所述的2个以上激光二极管bar条固定在方形金属块一侧面上；所述的激光二极管阵列单元设置在所述的反射结构件的一侧，并且每个激光二极管阵列单元的发光面朝向反射结构件的一个侧面，每个激光二极管阵列单元的发光面与反射结构件的侧面相互平行设置，间距在0.1毫米到10厘米的范围；其中，所述的激光二极管阵列单元为2个以上时，该激光二极管阵列单元呈对称状排布在反射结构件的四周，并且每个激光二极管阵列单元的发光面朝向反射结构件的一个侧面；所述的光纤数目与所述的激光二极管bar条数目相同，且光纤轴线与所对应的激光二极管bar条发光线相互平行设置，光纤轴线与所对应的激光二极管bar条发光线的间距在0.1mm到1mm之间。
申请日期	2008-12-09
专利号	CN101561558B
专利状态	授权
申请号	CN200810239116.5
公开（公告）号	CN101561558B
IPC 分类号	G02B27/09 \| H01S5/00
专利代理人	高存秀
代理机构	北京泛华伟业知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45160
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京国科世纪激光技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	樊仲维,赵天卓,崔建丰,等. 用于半导体激光二极管阵列泵浦的整形装置. CN101561558B[P]. 2011-05-04.

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CN101561558B.PDF（788KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文