在微米级条形台面上制作二氧化硅介质膜的方法

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	在微米级条形台面上制作二氧化硅介质膜的方法
其他题名	在微米级条形台面上制作二氧化硅介质膜的方法
	王宝军; 董杰; 王圩
	2004-06-16
专利权人	北京福创光电子股份有限公司
公开日期	2004-06-16
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种在微米级条形台面上制作二氧化硅介质膜的方法，其包括如下步骤：步骤1：首先，在微米级条形台面或其他形状的台面的样品上匀胶；步骤2：通过光刻技术实现在台面的顶面上胶膜窗口；步骤3：淀积介质膜；步骤4：采用剥离技术，完成微米级条形台面的顶面的介质膜制做；本发明可解决半导体激光器制造过程中，在窄条形台面的顶面上形成二氧化硅介质膜，使其能够起到再生长过程中的保护作用。
其他摘要	一种在微米级条形台面上制作二氧化硅介质膜的方法，其包括如下步骤：步骤1：首先，在微米级条形台面或其他形状的台面的样品上匀胶；步骤2：通过光刻技术实现在台面的顶面上胶膜窗口；步骤3：淀积介质膜；步骤4：采用剥离技术，完成微米级条形台面的顶面的介质膜制做；本发明可解决半导体激光器制造过程中，在窄条形台面的顶面上形成二氧化硅介质膜，使其能够起到再生长过程中的保护作用。
主权项	一种在微米级条形台面上制作二氧化硅介质膜的方法，其特征在于，其包括如下步骤：步骤1：首先，在微米级条形台面或其他形状的台面的样品上匀胶；步骤2：通过光刻技术实现在台面的顶面上胶膜窗口；步骤3：淀积介质膜；步骤4：采用剥离技术，完成微米级条形台面的顶面的介质膜制做。
申请日期	2001-03-26
专利号	CN1154163C
专利状态	失效
申请号	CN01110047.8
公开（公告）号	CN1154163C
IPC 分类号	C23C16/04 \| C23C16/34 \| H01L21/31 \| H01L21/314 \| H01L21/316 \| H01L21/32
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45125
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京福创光电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	王宝军,董杰,王圩. 在微米级条形台面上制作二氧化硅介质膜的方法. CN1154163C[P]. 2004-06-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1154163C.PDF（413KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文