Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 具有脊的半导体激光二极管 | |
| 其他题名 | 具有脊的半导体激光二极管 |
| 蔡程惠; 沈钟寅; 河镜虎; 金奎相; 柳汉烈 | |
| 2012-08-22 | |
| 专利权人 | 三星电子株式会社 |
| 公开日期 | 2012-08-22 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 提供一种半导体激光二极管，其包括衬底和依次形成于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和电极。在半导体激光二极管中，第二半导体层具有脊，以及电极形成于第二半导体层的脊上，电极的宽度小于脊的宽度。 |
| 其他摘要 | 提供一种半导体激光二极管，其包括衬底和依次形成于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和电极。在半导体激光二极管中，第二半导体层具有脊，以及电极形成于第二半导体层的脊上，电极的宽度小于脊的宽度。 |
| 主权项 | 一种半导体激光二极管，包括衬底和依次形成于所述衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和电极，其中，所述第二半导体层具有脊以实现单横向模式工作，以及所述电极形成于所述第二半导体层的所述脊上，所述电极的宽度小于所述脊的宽度，其中所述电极的宽度的中心和所述脊的宽度的中心彼此不重合。 |
| 申请日期 | 2006-12-04 |
| 专利号 | CN101026288B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN200610163781 |
| 公开（公告）号 | CN101026288B |
| IPC 分类号 | H01S5/22 |
| 专利代理人 | 陶凤波 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45109 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔡程惠,沈钟寅,河镜虎,等. 具有脊的半导体激光二极管. CN101026288B[P]. 2012-08-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101026288B.PDF（534KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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