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一种高功率半导体激光器光纤耦合模块
其他题名一种高功率半导体激光器光纤耦合模块
刘兴胜; 刘鑫; 王警卫
2015-11-11
专利权人西安炬光科技股份有限公司
公开日期2015-11-11
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要本实用新型提出一种高功率半导体激光器光纤耦合模块,包括管壳,激光芯片,衬底,光纤跳线以及正极端子,负极端子。所述的管壳包括壳底热沉和上壳,壳底热沉的为四周开放式的金属块,上壳包括上盖板和管壳壁,上盖板与管壳壁为一体结构。这种壳底热沉与管壳壁分离的结构,消除了封装工艺过程中的空间限制,易于实现夹具对快轴准直镜的夹持,提高了快轴准直的精度和光纤耦合的效率;此外,上壳材料采用铝,使光纤耦合模块具有更轻的质量和更高的灵活性。
其他摘要本实用新型提出一种高功率半导体激光器光纤耦合模块,包括管壳,激光芯片,衬底,光纤跳线以及正极端子,负极端子。所述的管壳包括壳底热沉和上壳,壳底热沉的为四周开放式的金属块,上壳包括上盖板和管壳壁,上盖板与管壳壁为一体结构。这种壳底热沉与管壳壁分离的结构,消除了封装工艺过程中的空间限制,易于实现夹具对快轴准直镜的夹持,提高了快轴准直的精度和光纤耦合的效率;此外,上壳材料采用铝,使光纤耦合模块具有更轻的质量和更高的灵活性。
主权项一种高功率半导体激光器光纤耦合模块,包括管壳,激光芯片,衬底,光纤跳线以及正极端子,负极端子,其特征在于:所述的管壳包括壳底热沉和上壳,所述的壳底热沉的为四周开放式的金属块,所述的上壳包括上盖板和管壳壁,上盖板与管壳壁为一体结构,上壳与壳底热沉构成密封中空的管壳;所述的激光芯片键合于衬底上,衬底设置于壳底热沉上,激光芯片与衬底位于密封中空的管壳内部;所述的光纤跳线设置于激光芯片的出光方向上,且光纤跳线的入光端面位于上述密封中空的管壳内,光纤跳线的入光端面用于将激光光束耦合进光纤跳线;所述的正极端子的一端与激光芯片正极连接,另一端连接至外接电源的正极;所述的负极端子的一端与激光芯片的负极连接,另一端连接至外接电源的负极。
申请日期2015-06-12
专利号CN204758877U
专利状态授权
申请号CN201520401275.6
公开(公告)号CN204758877U
IPC 分类号G02B6/42 | H01S5/06
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45086
专题半导体激光器专利数据库
作者单位西安炬光科技股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
刘兴胜,刘鑫,王警卫. 一种高功率半导体激光器光纤耦合模块. CN204758877U[P]. 2015-11-11.
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